AO4614B

描述：AO4614B
40V双P + N沟道MOSFET
AO4614B使用先进的沟槽技术
MOSFET提供出色的RDS（ON）和低栅极收费。 可以使用互补MOSFET在H桥，逆变器和其他应用中。

产品概要：AO4614B
N通道P通道
VDS（V）= 40V，-40V
ID = 6A（VGS = 10V）-5A（VGS = -10V）
RDS（开）
<30mΩ（VGS = 10V）<45mΩ（VGS = -10V）
<38mΩ（VGS = 4.5V）<63mΩ（VGS = -4.5V）
100％经过UIS测试100％经过UIS测试
已测试100％的Rg已测试100％的Rg

制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商零件编号AO4614B
描述MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
湿气敏感性等级 （MSL）1（无限）
原厂标准交货期26 周
详细描述N-和-P-沟道-Mosfet-阵列-40V-6A-5A-2W-表面贴装型-8-SO

一般信息：AO4614B

数据列表AO4614B;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态有源
类别分立半导体产品
产品族晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
系列-

规格：AO4614B

FET 类型N 和 P 沟道
FET 功能逻辑电平门
漏源电压（Vdss）40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）6A，5A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）30 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）10.8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）650pF @ 20V
功率 - 最大值2W
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装8-SO