描述：AO4484
40V N沟道MOSFET
AO4484使用先进的沟槽技术来提供低栅极电荷的出色RDS（ON）。 这是适用于广泛用途的通用设备功率转换应用范围。
产品概要：AO4484
VDS（V）= 40V
ID = 10A（VGS = 10V）
RDS（ON）<10mΩ（VGS = 10V）
RDS（ON）<12mΩ（VGS = 4.5V）
经过100％UIS测试
已测试100％Rg
制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商零件编号AO4484
描述MOSFET N-CH 40V 13.5A 8-SOIC
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
湿气敏感性等级 （MSL）1（无限）
原厂标准交货期26 周
详细描述表面贴装型-N-通道-40V-10A（Ta）-1.7W（Ta）-8-SOIC
一般信息：AO4484
数据列表AO4484 Datasheet;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态有源
类别分立半导体产品
产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列-
规格：AO4484
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）10 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）37nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1950pF @ 20V
FET 功能-
功率耗散（最大值）1.7W（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装8-SOIC
封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
