AO3434A

描述：AO3434A
30V N沟道MOSFET
AO3434A结合了先进的沟槽MOSFET低电阻封装技术提供RDS（ON）极低。 该设备是负载开关的理想选择和电池保护应用。

产品概要：AO3434A
VDS 30V
ID（在VGS = 10V时）4A
RDS（ON）（在VGS = 10V时）<52mΩ
RDS（ON）（在VGS = 4.5V时）<60mΩ
RDS（ON）（在VGS = 2.5V时）<78mΩ
典型的ESD保护HBM 3A级

制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商零件编号AO3434A
描述MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
湿气敏感性等级 （MSL）1（无限）
原厂标准交货期26 周
详细描述表面贴装型-N-通道-30V-4A（Ta）-1.4W（Ta）-SOT-23-3L

一般信息：AO3434A

数据列表AO3434A;
SOT23 Pkg Drawing;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态有源
类别分立半导体产品
产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列-

规格：AO3434A

FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）2.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）52 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）10nC @ 10V
Vgs（最大值）±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）245pF @ 15V
FET 功能-
功率耗散（最大值）1.4W（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装SOT-23-3L
封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3