大陆晶圆代工厂中芯国际不畏与台积电（2330）间的侵权争议延烧，持续开发先进制程技术，据了解，兴建中的上海fab 8厂预计2007年中完工，研发中心已计划完工后，从北京12寸厂搬回上海，协助新建成的fab 8厂投入先进制程开发，目前初步规划将以65奈米以下先进制程为主，有可能成为中芯众多晶圆厂中，技术最先进的厂房。

中芯8日于上海举办年度技术研讨会，会中以0.13微米、90奈米先进制程为主打重点，不过，由于日前与台积电侵权争议再起，因此本次技术研讨会格外受到外界瞩目，而开幕式也由中芯副总裁陈乃勇代替执行长张汝京致词。会场中受邀业者逾300多家，并有30多家设立摊位，年度盛会的声势似乎未受侵权案影响，也有中芯员工表示，尽管侵权案再起，但明显感受到，这次与上次不同，上回许多客户来电关切，但这次客户关切此事不如上次明显。

陈乃勇表示，过去1年中芯取得许多技术进展，北京12寸厂90奈米制程已成功量产，65奈米制程也正积极研发中，将于2007年1月开始量产，中芯更强调，目前推出的ip（intellectual property）已经超过400个，以满足客户对0.13微米、90奈米制程需求。据了解，中芯2007年第一季将正式投入低耗电65奈米制程试产，预计第三季泛用型65奈米制程进入量产阶段。

中芯为因应手机客户对先进制程的要求，90奈米、65奈米制程将会先推出低耗电制程方案，约1季后，才会推出泛用型制程。依据目前中芯北京12寸厂已投入低耗电90奈米制程的进度预估，第四季90奈米泛用型制程也将会进入量产阶段，研发团队已正进行最后确认工作。

不过，值得注意的是，中芯已兴建一阵时日的上海fab 8厂，最快预计将在2007年中完工，届时核心研发团队将从北京12寸厂迁移回上海，据了解，极可能与中芯内部规划将fab 8厂用为65奈米以下先进制程开发之用，fab 8厂将成为中芯众多晶圆厂中，制程最先进的厂区。之前曾盛传中芯未来属意以fab 8厂投入快闪记忆体（flash）生产。