晶体管 SPB17N80C3 FET

晶体管 SPB17N80C3 FET属性

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晶体管 SPB17N80C3 FET描述

SPB17N80C3介绍：
描述 MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 26 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 800V 17A（Tc） 227W（Tc） PG-TO263-3-2
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 CoolMOS™
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 290 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 177nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2300pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 227W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TO263-3-2
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
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与普通机械开关(如Relay、switch)不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。

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