晶体管 STP80NF55L-06 FET

晶体管 STP80NF55L-06 FET属性

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晶体管 STP80NF55L-06 FET描述

STP80NF55L-06介绍：
描述 MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 38 周
详细描述 通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 STMicroelectronics
系列 STripFET™ II
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 6.5 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 136nC @ 5V
Vgs（最大值） ±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4850pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 300W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
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在双极性晶体管中，射极到基极的很小的电流，会使得发射极到集电极之间，产生大电流；在场效应晶体管中，在栅极施加小电压，来控制源极和泄极之间的电流。

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