www.fairchildsemi.com
KA1M0880BF
飞兆功率开关（ FPS ）
特点
精密固定工作频率（ 67KHz ）
逐脉冲过电流限制
过载保护
过电压保护（最小23V ）
内部热关断功能
欠压锁定
内部高压感FET
闩锁模式
软启动
描述
飞兆半导体的功率开关（FPS ）产品系列是专
专为离线SMPS具有最少的外部
组件。飞兆半导体的功率开关（FPS ）由高
电源电压值SenseFET和电流模式PWM控制器IC 。
PWM控制器具有集成固定振荡器，
欠压锁定，前沿消隐，优化的栅极导通/
关断驱动器，热关断保护，过电压
保护，温度补偿精密电流源
用于回路补偿和故障保护电路。相比
分立式MOSFET和控制器或R
CC
开关转换器
解决方案中，飞兆功率开关（ FPS ）可以降低总
元件数量，设计的尺寸，重量，并在同一时间
增加&效率，生产率和系统的可靠性。它有
一个基本平台非常适用于成本效益的设计中任一
反激式转换器或转发器。
TO-3PF-5L
1
1.漏2. GND 3. V
CC
4. 5. FB的S / S
内部框图
#3 V
CC
32V
5V
VREF
良好
逻辑
＃ 5软启动
5V
OSC
S
R
＃ 4 FB
5A
1毫安2.5R
1R
9V
+
7.5V
+
25V
热S / D
过电压S / D
+
L.E.B
0.1V
S
R
Q
＃ 2 GND
Q
国内
BIAS
＃ 1 DRAIN
SFET
上电复位
Rev.1.0.0
2002仙童半导体公司
KA1M0880BF
电气特性（控制部分）
（续）
（ TA = 25 ° C除非另有说明）
参数
UVLO节
启动阈值电压
停止阈值电压
振荡器部分
初始精度
频率随温度变化
(2)
最大占空比
反馈部分
反馈源电流
关机反馈电压
关机延迟电流
软启动第
软启动电压
软启动电流
参考科
输出电压
(1)
温度稳定性
(1)(2)
峰值电流限制
保护科
热关断温（Tj ）
(1)
过电压保护电压
设备总段
启动电流
工作电源电流
（控制部分只）
V
CC
齐纳电压
I
开始
I
OP
V
Z
V
CC
=14V
Ta=25°C
I
CC
=20mA
0.1
6
30
0.3
12
32.5
0.45
18
35
mA
mA
V
T
SD
V
OVP
-
-
140
23
160
25
-
28
°C
V
VREF
VREF / ΔT
I
过度
Ta=25°C
25°C ≤
Ta
≤
+85°C
马克斯。电感电流
4.80
-
4.40
5.00
0.3
5.00
5.20
0.6
5.60
V
毫伏/°C的
A
V
SS
I
SS
V
FB
=2V
同步& S / S = GND
4.7
0.8
5.0
1.0
5.3
1.2
V
mA
I
FB
V
SD
IDELAY
TA = 25° C， 0V
≤
VFB
≤
3V
-
TA = 25℃ ， 5V
≤
VFB
≤
V
SD
0.7
6.9
4.0
0.9
7.5
5.0
1.1
8.1
6.0
mA
V
A
F
OSC
ΔF /ΔT
DMAX
KA1M0880BF
25°C ≤
Ta
≤
+85°C
61
-
74
67
±5
77
73
±10
80
千赫
%
%
V
开始
V
停止
-
打开后
14
9
15
10
16
11
V
V
符号
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
电流限制（自我保护）第
注意：
1.这些参数，虽然保证的，是不是100％在生产测试
2.这些参数，虽然保证，在EDS测试（晶圆测试）过程
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KA1M0880BF
飞兆功率开关（ FPS ）
特点
精密固定工作频率（ 67KHz ）
逐脉冲过电流限制
过载保护
过电压保护（最小23V ）
内部热关断功能
欠压锁定
内部高压感FET
闩锁模式
软启动
描述
飞兆半导体的功率开关（FPS ）产品系列是专
专为离线SMPS具有最少的外部
组件。飞兆半导体的功率开关（FPS ）由高
电源电压值SenseFET和电流模式PWM控制器IC 。
PWM控制器具有集成固定振荡器，
欠压锁定，前沿消隐，优化的栅极导通/
关断驱动器，热关断保护，过电压
保护，温度补偿精密电流源
用于回路补偿和故障保护电路。相比
分立式MOSFET和控制器或R
CC
开关转换器
解决方案中，飞兆功率开关（ FPS ）可以降低总
元件数量，设计的尺寸，重量，并在同一时间
增加&效率，生产率和系统的可靠性。它有
一个基本平台非常适用于成本效益的设计中任一
反激式转换器或转发器。
TO-3PF-5L
1
1.漏2. GND 3. V
CC
4. 5. FB的S / S
内部框图
#3 V
CC
32V
5V
VREF
良好
逻辑
＃ 5软启动
5V
OSC
S
R
＃ 4 FB
5A
1毫安2.5R
1R
9V
+
7.5V
+
25V
热S / D
过电压S / D
+
L.E.B
0.1V
S
R
Q
＃ 2 GND
Q
国内
BIAS
＃ 1 DRAIN
SFET
上电复位
Rev.1.0.0
2002仙童半导体公司
KA1M0880BF
电气特性（控制部分）
（续）
（ TA = 25 ° C除非另有说明）
参数
UVLO节
启动阈值电压
停止阈值电压
振荡器部分
初始精度
频率随温度变化
(2)
最大占空比
反馈部分
反馈源电流
关机反馈电压
关机延迟电流
软启动第
软启动电压
软启动电流
参考科
输出电压
(1)
温度稳定性
(1)(2)
峰值电流限制
保护科
热关断温（Tj ）
(1)
过电压保护电压
设备总段
启动电流
工作电源电流
（控制部分只）
V
CC
齐纳电压
I
开始
I
OP
V
Z
V
CC
=14V
Ta=25°C
I
CC
=20mA
0.1
6
30
0.3
12
32.5
0.45
18
35
mA
mA
V
T
SD
V
OVP
-
-
140
23
160
25
-
28
°C
V
VREF
VREF / ΔT
I
过度
Ta=25°C
25°C ≤
Ta
≤
+85°C
马克斯。电感电流
4.80
-
4.40
5.00
0.3
5.00
5.20
0.6
5.60
V
毫伏/°C的
A
V
SS
I
SS
V
FB
=2V
同步& S / S = GND
4.7
0.8
5.0
1.0
5.3
1.2
V
mA
I
FB
V
SD
IDELAY
TA = 25° C， 0V
≤
VFB
≤
3V
-
TA = 25℃ ， 5V
≤
VFB
≤
V
SD
0.7
6.9
4.0
0.9
7.5
5.0
1.1
8.1
6.0
mA
V
A
F
OSC
ΔF /ΔT
DMAX
KA1M0880BF
25°C ≤
Ta
≤
+85°C
61
-
74
67
±5
77
73
±10
80
千赫
%
%
V
开始
V
停止
-
打开后
14
9
15
10
16
11
V
V
符号
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
电流限制（自我保护）第
注意：
1.这些参数，虽然保证的，是不是100％在生产测试
2.这些参数，虽然保证，在EDS测试（晶圆测试）过程
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