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K9F5608R0D
K9F5608U0D K9F5608D0D
FL灰内存
K9F5608X0D
信息在本文档提供有关三星产品,
并随时更改,恕不另行通知。
本条中的任何文件应当解释为授予任何许可,
明示或暗示,被禁止的或其他方式,
任何知识产权权利三星的产品或技术。所有
信息在本文档提供
作为"AS IS"基础不承担任何声明或保证。
1.对于更新或有关三星产品的更多信息,请联系您最近的三星办公。
2.三星的产品不得用于生命支持,重症监护,医疗,安全设备,或者类似用途
应用产品故障可能导致人身或人身伤害,或任何军事或损失
国防应用,或任何政府采购到特殊条款或规定可能适用。
*三星电子保留随时更改产品或规格,恕不另行通知。
1
K9F5608R0D
K9F5608U0D K9F5608D0D
FL灰内存
文档标题
32M ×8位NAND闪存
修订历史
修订历史号
0.0
0.1
0.2
1.0
1.1
1. LOCKPRE销模式被淘汰
创刊号
1.含铅封装器件被淘汰
草案日期
5月16日。 2005年
8月11日。 2005年
10月17日。 2005年
10月30日。 2005年
2005年12月30日
备注
ADVANCE
ADVANCE
初步
最终科幻
注:欲了解更多详细的功能以及规格,包括常见问题解答,请参考三星的Flash网站。
http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/Flash/TechnicalInfo/datasheets.htm
所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 , LTD 。保留权利
改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有
有任何疑问,请联系三星分支机构靠近你。
2
K9F5608R0D
K9F5608U0D K9F5608D0D
FL灰内存
32M ×8位NAND闪存
产品列表
产品型号
K9F5608R0D-J
K9F5608D0D-P
K9F5608D0D-J
K9F5608U0D-P
K9F5608U0D-J
K9F5608U0D-F
2.7 ~ 3.6V
VCC范围
1.65 ~ 1.95V
2.4 ~ 2.9V
X8
组织
PKG型
FBGA
TSOP1
FBGA
TSOP1
FBGA
WSOP1
特点
电源
- 1.8V器件( K9F5608R0D ) : 1.65 1.95V
- 2.65V设备( K9F5608D0D ) : 2.4 2.9V
- 3.3V器件( K9F5608U0D ) : 2.7 3.6 V
组织
- 存储单元阵列
- ( 32M + 1024K )位×8位
- 数据寄存器
- ( 512 + 16 )位x 8位
自动编程和擦除
- 页编程
- ( 512 + 16 )字节
- 块擦除:
- ( 16K + 512 )字节
页面读取操作
- 页面大小
- ( 512 + 16 )字节
- 随机存取
:为15μs (最大值)
- 串行页面访问:为50ns (最小值)
快速写周期时间
- 计划时间:为200μs (典型值)
- 块擦除时间: 2毫秒(典型值)。
命令/地址/数据多路复用I / O端口
硬件数据保护
- 编程/擦除锁定在电源转换
可靠的CMOS浮栅技术
- 耐力
: 100K编程/擦除周期
- 数据保存: 10年
命令寄存器操作
智能拷贝回
独特的ID为版权保护
- K9F5608D ( U) 0D - PCB0 / PIB0
48 - 引脚TSOP I( 12 ×20 / 0.5 mm间距) - 无铅封装
- K9F5608X0D - JCB0 / JIB0
63-球FBGA ( 9× 11 /0.8mm间距,宽度1.0毫米)
- 无铅封装
- K9F5608U0D - FCB0 / FIB0
48 - 针WSOP I( 12X17X0.7mm ) - 无铅封装
* K9F5608U0D -F( WSOPI )是相同的设备
K9F5608U0D -P ( TSOP1 )除了封装类型。
概述
提供在32Mx8bit的K9F5608X0D是256M位有空余8M比特的容量。该器件在1.8V , 2.65V , 3.3V的Vcc提供。其
NAND单元提供了最具成本效益的解决方案,为固态大容量存储市场。一种程序,就可以执行操作
在一个528字节的页和擦除操作典型为200ps可在16K字节的块典型2ms的执行。在页数据
可在每字节50ns的周期时间被读出。在I / O引脚作为地址和数据输入/输出端口以及命令
输入。片上写控制自动完成所有的编程和擦除功能,包括脉冲重复,在必要时,和内部
验证和数据的裕度。即使是写密集型系统可以采取K9F5608X0D的扩展可靠性的优势
100K计划/提供ECC (纠错码)与实时映射出的算法擦除周期。
该K9F5608X0D为大的非易失性存储应用的诸如固态存储文件和其他便携的最佳解决方案
应用程序需要非易失性。
3
K9F5608R0D
K9F5608U0D K9F5608D0D
引脚配置( TSOP1 )
K9F5608D(U)0D-PCB0/PIB0
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
R / B
RE
CE
N.C
N.C
VCC
VSS
N.C
N.C
CLE
ALE
WE
WP
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
N.C
N.C
N.C
N.C
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
N.C
N.C
N.C
VCC
VSS
N.C
N.C
N.C
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
N.C
N.C
N.C
N.C
FL灰内存
包装尺寸
48 -PIN铅/铅免费塑料轻薄小本OUT直插式封装类型(I )
48 - TSOP1 - 1220F
单位:毫米/英寸
0.10
最大
0.004
#48
( 0.25 )
0.010
12.40
0.488 MAX
#24
#25
1.00
±0.05
0.039
±0.002
0.25
0.010 TYP
+0.075
20.00
±0.20
0.787
±0.008
0.20
-0.03
+0.07
#1
0.008
-0.001
0.16
-0.03
+0.07
+0.003
0.50
0.0197
12.00
0.472
0.05
0.002 MIN
0.125
0.035
0~8°
0.45~0.75
0.018~0.030
( 0.50 )
0.020
4
0.005
-0.001
+0.003
18.40
±0.10
0.724
±0.004
1.20
0.047MAX
K9F5608R0D
K9F5608U0D K9F5608D0D
引脚配置( FBGA )
K9F5608X0D-JCB0/JIB0
顶视图
1
N.C N.C
FL灰内存
2
3
4
5
6
N.C N.C
N.C N.C
A
B
C
N.C
/ WP
NC
NC
NC
NC
NC
NC
VSS
ALE
/ RE
NC
NC
NC
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
CLE
NC
NC
NC
NC
NC
/ CE
NC
NC
NC
NC
NC
/ WE
NC
NC
NC
NC
NC
R / B
NC
NC
NC
NC
VCC
I/O7
VSS
D
E
F
G
H
VCCQ I / O5
I/O6
I / O3 I / O4
N.C N.C
N.C N.C
N.C N.C
N.C N.C
包装尺寸
63球FBGA (以毫米计)
顶视图
底部视图
9.00
±0.10
0.80 x 9= 7.20
0.80 x 5= 4.00
9.00
±0.10
( DATUM A)
A
6
5
0.80
4
3
2
1
B
#A1
A
B
0.80 x11= 8.80
0.80 x7= 5.60
2.00
0.25(Min.)
0.45
±0.05
( DATUM B)
C
D
E
0.80
11.00
±0.10
2.80
F
G
H
63-0.45
±0.05
0.20
M
A B
SIDE VIEW
9.00
±0.10
0.10MAX
5
1.00(Max.)
11.00
±0.10
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    -
    -
    -
    -
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    -
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射频微波器件
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1000¥/片,普通
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