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K7A323630C
K7A321830C
初步
1Mx36 & 2Mx18同步SRAM
36MB同步。流水线突发SRAM
规范
100TQFP有铅/无铅
(符合RoHS )
信息在本文档提供有关三星产品,
并随时更改,恕不另行通知。
本条中的任何文件应当解释为授予任何许可,
明示或暗示,被禁止的或其他方式,
任何知识产权权利三星的产品或技术。
所有信息在本文档提供
作为"AS IS"基础不承担任何声明或保证。
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2.三星的产品不得用于生命支持,重症监护,医疗,安全设备,或者西米用
LAR应用产品故障可能导致人身或人身伤害,或任何军事损失
或国防应用程序,或任何政府采购,以这特殊条款或规定可能适用。
*三星电子保留随时更改产品或规格,恕不另行通知。
-1-
修订版0.2 2006年4月
K7A323630C
K7A321830C
文档标题
初步
1Mx36 & 2Mx18同步SRAM
1Mx36 & 2Mx18位同步流水线突发SRAM
修订历史
版本号
0.0
0.1
0.2
历史
1.初始草案
1.添加超调时间
1.更改订购信息
草案日期
1月26日2006年
2月16日2006年
四月04 2006
备注
ADVANCE
初步
初步
-2-
修订版0.2 2006年4月
K7A323630C
K7A321830C
36MB SRAM SPB订购信息
组织。
2Mx18
1Mx36
Vdd的(V)的
3.3/2.5
3.3/2.5
速度快(纳秒)
5.0
5.0
初步
1Mx36 & 2Mx18同步SRAM
访问时间(纳秒)
3.1
3.1
产品型号
K7A321830C-P(Q)
1
C( I)
2
20
K7A323630C-P(Q)
1
C( I)
2
20
注1: P( Q) 【包装类型】 : P-无铅, Q-铅
2. C( I) [工作温度] : C-商业, I-工业
-3-
修订版0.2 2006年4月
K7A323630C
K7A321830C
初步
1Mx36 & 2Mx18同步SRAM
1Mx36 & 2Mx18位同步流水线突发SRAM
特点
同步操作。
2级流水线操作, 4连拍。
片地址计数器。
自定时写周期。
在片内地址和控制寄存器。
V
DD
= 2.5或3.3V ±5 %电源。
5V容限输入除I / O引脚。
字节写入功能。
全局写使能控制一个完整的总线宽度写。
通过ZZ信号掉电状态。
LBO引脚允许任何一个交错突发或线性的选择
爆裂。
三个芯片使简单的深度扩展没有数据CON-
张力仅供TQFP ; 2cycle启用,回循环禁用。
异步输出使能控制。
ADSP , ADSC , ADV突发控制引脚。
TTL电平的三态输出。
100 - TQFP - 1420A (铅和无铅封装)
操作中commeical和工业温度范围。
概述
该K7A323630C和K7A321830C是37748736位
同步静态随机存取存储器设计
奔腾高性能的二级缓存和
电源基于PC的系统。
它是作为36 ( 18 )比特和英特1M ( 2M )的话
炉排地址和控制寄存器,一个2比特的脉冲串地址
计数器并增加了一些新的功能,对高perfor-
曼斯高速缓存RAM的应用; GW , BW , LBO , ZZ 。写
周期是内部自定时和同步。
全总线宽度写入由GW完成,每个字节写操作
通过WEX和BW的组合进行时, GW是
高。与CS
1
高, ADSP被封锁控制显
良。
突发周期可以与任一地址状态启动
处理器( ADSP )或地址状态缓存控制 -
LER ( ADSC )的投入。随后一阵地址则生成
在系统中的色同步信号序列内部ated和是
由脉冲串地址前进( ADV)输入控制。
LBO引脚的直流操作并确定爆裂
序列(线性或交织) 。
ZZ引脚控制掉电状态,并降低待机
目前,无论CLK的。
该K7A323630C和K7A321830C使用制造
三星的高性能CMOS技术,是
可在一个100引脚TQFP封装。多个电源和
接地引脚被利用,以减少地面反弹。
快速访问TIMES
参数
周期
时钟存取时间
输出启用访问时间
符号
t
CYC
t
CD
t
OE
-20
5.0
3.1
3.1
单位
ns
ns
ns
逻辑框图
CLK
LBO
控制
注册
ADV
ADSC
突发控制
逻辑
BURST
地址
计数器
A
0
~A
1
A
0
~A
19
OR A
0
~A
20
地址
注册
1Mx36 , 2Mx18
内存
ARRAY
A′
0
~A′
1
A
2
~A
19
OR A
2
~A
20
ADSP
CS
1
CS
2
CS
2
GW
BW
WEX
( X = A ,B,C , d或一,二)
OE
ZZ
数据在
注册
控制
注册
控制
逻辑
产量
注册
卜FF器
DQA
0
DQD
7
或DQa0 DQb7
DQPa , DQPb
DQPa DQPd
-4-
修订版0.2 2006年4月
K7A323630C
K7A321830C
引脚配置
( TOP VIEW )
初步
1Mx36 & 2Mx18同步SRAM
ADSC
ADSP
世界环境日
WEB
WEA
WEC
A
6
ADV
83
CLK
CS
1
CS
2
CS
2
V
DD
GW
V
SS
BW
OE
A
7
A
8
82
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
81
A
9
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
北卡罗来纳州
V
DD
V
SS
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
A
19
A
18
A
17
A
10
A
12
A
13
A
14
A
15
LBO
引脚名称
符号
A
0
- A
19
引脚名称
地址输入
TQFP PIN NO 。
符号
V
DD
V
SS
北卡罗来纳州
DQA
0
~a
7
DQB
0
~b
7
DQC
0
~c
7
DQD
0
~d
7
DQPa P
d
V
DDQ
V
SSQ
引脚名称
电源( + 3.3V )
无连接
数据输入/输出
TQFP PIN NO 。
15,41,65,91
17,40,67,90
14,16,38,66
52,53,56,57,58,59,62,63
68,69,72,73,74,75,78,79
2,3,6,7,8,9,12,13
18,19,22,23,24,25,28,29
51,80,1,30
4,11,20,27,54,61,70,77
5,10,21,26,55,60,71,76
32,33,34,35,36,37,39
42,43,44,45,46,47,48,
49,50,81,82,99,100
83
ADV
突发地址进展
地址状态处理器84
ADSP
地址状态控制器85
ADSC
89
时钟
CLK
98
芯片选择
CS
1
97
芯片选择
CS
2
92
芯片选择
CS
2
93,94,95,96
WEX ( X = A,B , C,D )字节写入输入
86
OUTPUT ENABLE
OE
88
全局写使能
GW
87
字节写使能
BW
64
掉电输入
ZZ
31
突发模式控制
LBO
输出电源
( 3.3V或2.5V )
输出地
注意:
1. A0和A1是地址字段的两个最低显著位( LSB),并设置内部突发计数器,如果脉冲串是期望的。
A
16
A
11
50
DQPc
DQC
0
DQC
1
V
DDQ
V
SSQ
DQC
2
DQC
3
DQC
4
DQC
5
V
SSQ
V
DDQ
DQC
6
DQC
7
北卡罗来纳州
V
DD
北卡罗来纳州
V
SS
DQD
0
DQD
1
V
DDQ
V
SSQ
DQD
2
DQD
3
DQD
4
DQD
5
V
SSQ
V
DDQ
DQD
6
DQD
7
DQPd
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
100引脚TQFP
( 20毫米X 14毫米)
K7A323630C ( 1Mx36 )
DQPb
DQB
7
DQB
6
V
DDQ
V
SSQ
DQB
5
DQB
4
DQB
3
DQB
2
V
SSQ
V
DDQ
DQB
1
DQB
0
V
SS
北卡罗来纳州
V
DD
ZZ
DQA
7
DQA
6
V
DDQ
V
SSQ
DQA
5
DQA
4
DQA
3
DQA
2
V
SSQ
V
DDQ
DQA
1
DQA
0
DQPa
-5-
修订版0.2 2006年4月
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    -
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    -
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