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K4H1G0438A
K4H1G0838A
DDR SDRAM
1GB的A- SDRAM芯片规格
66 TSOP - II与无铅
(符合RoHS )
信息在本文档提供有关三星产品,
并随时更改,恕不另行通知。
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明示或暗示,被禁止的或其他方式,
任何知识产权权利三星的产品或技术。所有
信息在本文档提供
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国防应用,或任何政府采购到特殊条款或规定可能适用。
*三星电子保留随时更改产品或规格,恕不另行通知。
修订版1.1 2007年1月
K4H1G0438A
K4H1G0838A
DDR SDRAM
目录
1.0主要特点.............................................................................................................................. 4
2.0订购信息................................................................................................................ 4
3.0工作Frequencies............................................................................................................... 4
4.0引脚说明..........................................................................................................................五
5.0包装物理尺寸.............................................. .................................................. 6 ...
6.0框图( 64Mbit的X4 / X8 32兆的I / O X4银行) ................................... ............................ 7
7.0输入/输出功能说明............................................ ............................................... 8
8.0命令真值表............................................................................................................... 9
9.0一般Description...................................................................................................................10
10.0绝对最大额定值.....................................................................................................10
11.0直流工作条件........................................................................................................10
12.0 DDR SDRAM IDD规格产品&测试条件......................................... ......................... 11
13.0输入/输出电容......................................................................................................11
14.0详细的测试条件为DDR SDRAM IDD1 & IDD7A ........................................ .............. 12
15.0 DDR SDRAM IDD规格表............................................ .................................................. .... 13
16.0 AC工作条件.......................................................................................................14
17.0 AC过冲/下冲规范地址和控制引脚........................... 14
18.0过冲/下冲规范数据,频闪和口罩销............................... 15
19.0 AC Timming参数&规格............................................ ............................... 16
20.0系统特性的DDR SDRAM ............................................ ................................. 17
21.0组件的注意事项................................................................................................................... 18
22.0系统注意事项..........................................................................................................................20
23.0 IBIS : I / V特性的输入和输出缓冲器...................................... .................. 21
修订版1.1 2007年1月
K4H1G0438A
K4H1G0838A
DDR SDRAM
YEAR
2006
2007
- 首先发布,版本1.0规范
- 修过冲/下冲规格如下JEDEC SPEC
- 增加了tPDEX交流参数规格
历史
修订历史
调整
1.0
1.1
MONTH
六月
一月
修订版1.1 2007年1月
K4H1G0438A
K4H1G0838A
DDR SDRAM
1.0主要特点
VDD : 2.5V ± 0.2V , VDDQ : 2.5V ± 0.2V为DDR266 , 333
VDD : 2.6V ± 0.1V , VDDQ : 2.6V ± 0.1V的DDR400
双数据速率体系结构;每个时钟周期2的数据传输
双向数据选通
[ DQS ] ( X4,X8 ), & [L ( U) DQS ] ( X16 )
四家银行的操作
差分时钟输入( CK和CK )
DLL对齐DQ和DQS与CK过渡转型
MRS循环地址重点项目
- 。读取延迟: DDR266 ( 2 , 2.5个时钟) , DDR333 ( 2.5时钟) , DDR400 ( 3时钟)
- 。突发长度( 2,4, 8)
- 。突发类型(顺序&交错)
除数据& DM所有输入进行采样,系统时钟的正边沿(CK)
数据I /数据选通信号的两边O事务
边沿对齐的数据输出,居中对齐数据输入
LDM , UDM为只写屏蔽( X16 )
DM为只写屏蔽( X4,X8 )
自动&自我刷新
7.8us刷新间隔( 8K / 64ms的刷新)
tRFC (刷新行周期时间) = 120ns的
最大连拍数量刷新周期: 8
66pin TSOP II
无铅
符合RoHS
2.0订购信息
产品型号
K4H1G0438A-UC/LCC
K4H1G0438AUC/LB3
K4H1G0438A-UC/LA2
K4H1G0438A-UC/LB0
K4H1G0838A-UC/LCC
K4H1G0838A-UC/LB3
K4H1G0838A-UC/LA2
K4H1G0838AUC/LB0
128M ×8
256M ×4
组织。
最大频率。
CC(DDR400@CL=3)
B3(DDR333@CL=2.5)
A2(DDR266@CL=2)
B0(DDR266@CL=2.5)
CC(DDR400@CL=3)
B3(DDR333@CL=2.5)
A2(DDR266@CL=2)
B0(DDR266@CL=2.5)
SSTL2
66pin TSOP II
接口
3.0工作频率
CC(DDR400@CL=3)
速度@ CL2
速度@ CL2.5
速度@ CL3
CL- tRCD的-TRP
-
166MHz
200MHz
3-3-3
B3(DDR333@CL=2.5)
133MHz
166MHz
-
2.5-3-3
A2(DDR266@CL=2.0)
133MHz
133MHz
-
2-3-3
B0(DDR266@CL=2.5)
100MHz
133MHz
-
2.5-3-3
修订版1.1 2007年1月
K4H1G0438A
K4H1G0838A
DDR SDRAM
4.0引脚说明
128MB ×8
256MB ×4
V
DD
DQ
0
V
DDQ
NC
DQ
1
V
SSQ
NC
DQ
2
V
DDQ
NC
DQ
3
V
SSQ
NC
NC
V
DDQ
NC
A
13
V
DD
NC
NC
WE
CAS
RAS
CS
NC
BA
0
BA
1
AP / A
10
A
0
A
1
A
2
A
3
V
DD
V
DD
NC
V
DDQ
NC
DQ
0
V
SSQ
NC
NC
V
DDQ
NC
DQ
1
V
SSQ
NC
NC
V
DDQ
NC
A
13
V
DD
NC
NC
WE
CAS
RAS
CS
NC
BA
0
BA
1
AP / A
10
A
0
A
1
A
2
A
3
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
66
65
64
63
62
61
60
59
58
V
SS
NC
V
SSQ
NC
DQ
3
V
DDQ
NC
NC
V
SSQ
NC
DQ
2
V
DDQ
NC
NC
V
SSQ
的DQ
NC
V
REF
V
SS
DM
CK
CK
CKE
NC
A
12
A
11
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
V
SS
DQ
7
V
SSQ
NC
DQ
6
V
DDQ
NC
DQ
5
V
SSQ
NC
DQ
4
V
DDQ
NC
NC
V
SSQ
的DQ
NC
V
REF
V
SS
DM
CK
CK
CKE
NC
A
12
A
11
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
66Pin TSOPII
( 400mil X 875mil )
( 0.65毫米引脚间距)
银行地址
BA0~BA1
自动预充电
A10
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
1GB TSOP -II封装引脚
组织
256Mx4
128Mx8
行地址
A0~A13
A0~A13
列地址
A0-A9, A11, A12
A0-A9, A11
DM在内部装载匹配DQ和DQS相同。
行&列地址的配置
修订版1.1 2007年1月
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    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

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    联系人:谭小姐
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