K4M513233E - M（ E） C / L / F
4M X 32位×4银行移动SDRAM的90FBGA
特点
3.0V & 3.3V电源。
LVCMOS与复用地址兼容。
四家银行的操作。
MRS循环地址重点项目。
- 。 CAS延迟（1,2 & 3）。
- 。突发长度（1， 2，4， 8 &全页）。
- 。突发类型（顺序&交错） 。
EMRS周期地址重点项目。
所有输入进行采样，该系统的正向边沿
时钟。
突发读取单个位的写操作。
特殊功能的支持。
- 。 PASR （部分阵列自刷新） 。
- 。内部TCSR （温度补偿自刷新）
DQM用于屏蔽。
自动刷新。
64ms的刷新周期（ 8K循环） 。
商业操作温度（ -25 ° C 70 ° C） 。
2Chips DDP 90Balls FBGA封装，具有0.8mm焊球间距
（ -MXXX ：含铅， -EXXX ：无铅） 。
移动SDRAM
概述
该K4M513233E是536870912位同步高速数据
率动态RAM组织为4× 4196304字32位，
制造与三星的高性能CMOS技
术。同步设计允许与精确的周期控制
使用系统时钟和I / O的交易可能在每个
时钟周期。工作频率范围，可编程
脉冲串的长度和可编程延迟允许相同
装置可用于各种高带宽和高性有用
formance存储器系统的应用程序。
订购信息
产品型号
K4M513233E-M(E)C/L/F75
K4M513233E-M(E)C/L/F1H
K4M513233E-M(E)C/L/F1L
最大频率。
133MHz(CL=3)
105MHz(CL=2)
105MHz(CL=3)
*1
LVCMOS
90 FBGA
有铅（无铅）
接口
包
- M（ E） C / L / F ：普通/低/低功耗，商用温度（ -25 ° C 70 ° C）
注意事项：
1.对于40MHz的频率， CL1可以得到支持。
2.三星不得要约出售或直接或通过与第三方的代理销售两种，而且包括DRAM内存产品"Multi ，塑料模具
DRAM"用作一般的和科学的计算机部件，例如，通过例如，大型机，服务器，工作站或台式方式
电脑的前三年任期五年本许可的。本文中没有限制三星的使用权在其他多芯片DRAM塑料
产品或根据paragrangh其中包括例如笔记本电脑或其他方式应用，如移动，电信或非计算机应用（
笔记本电脑，移动电话，电视机或视频监视器）
违反可能会受到客户的合法要求，也排除了对从Samsung."侵权的任何保证。
3.三星没有设计或制造用于在设备或系统，该系统是根据情况使用在人的生命是可能处于危险中。
请在三星电子考虑产品所包含的任何具体使用时，接触到存储器的营销团队
目的，如医疗，航空航天，核能，军工，汽车或海底中继器的使用。
2004年2月
K4M513233E - M（ E） C / L / F
功能框图
移动SDRAM
I / O控制
LWE
数据输入寄存器
BANK SELECT
LDQM
4M ×32
SENSE AMP
4M ×32
4M ×32
4M ×32
刷新计数器
输出缓冲器
行解码器
行缓冲区
DQI
地址寄存器
LRAS
CLK
CKE
CLK
添加
列解码器
上校缓冲区
LRAS
LCBR
延迟&突发长度
LCKE
LCBR
LWE
LCAS
编程注册
LWCBR
LDQM
注册时间
CS
RAS
CAS
WE
DQM
2004年2月
K4M513233E - M（ E） C / L / F
包装尺寸和引脚配置
<底视图
*1
＆ GT ;
E
1
9
A
B
C
D
D
E
F
G
D
1
H
J
K
D/2
L
M
N
P
R
E
E/2
引脚名称
CLK
CS
A
A1
Substrate(2Layer)
移动SDRAM
<顶视图
*2
＆ GT ;
90Ball （ 6×15 ） FBGA
8
7
6
5
4
3
2
1
e
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
1
DQ26
DQ28
V
SSQ
V
SSQ
V
DDQ
V
SS
A4
A7
CLK
DQM1
V
DDQ
V
SSQ
V
SSQ
DQ11
DQ13
2
DQ24
V
DDQ
DQ27
DQ29
DQ31
DQM3
A5
A8
CKE
NC
DQ8
DQ10
DQ12
V
DDQ
DQ15
3
V
SS
V
SSQ
DQ25
DQ30
NC
A3
A6
A12
A9
NC
V
SS
DQ9
DQ14
V
SSQ
V
SS
7
V
DD
V
DDQ
DQ22
DQ17
NC
A2
A10
NC
BA0
CAS
V
DD
DQ6
DQ1
V
DDQ
V
DD
8
DQ23
V
SSQ
DQ20
DQ18
DQ16
DQM2
A0
BA1
CS
WE
DQ7
DQ5
DQ3
V
SSQ
DQ0
9
DQ21
DQ19
V
DDQ
V
DDQ
V
SSQ
V
DD
A1
A11
RAS
DQM0
V
SSQ
V
DDQ
V
DDQ
DQ4
DQ2
引脚功能
系统时钟
芯片选择
时钟使能
地址
银行选择地址
行地址选通
列地址选通
写使能
数据输入/输出面膜
数据输入/输出
电源/接地
数据输出电源/接地
[单位：mm ]
CKE
A
0
~ A
12
BA
0
BA
1
RAS
CAS
WE
DQM
0
DQM
3
DQ
0
~
31
b
z
<顶视图
*2
＆ GT ;
＃ A1球原产地指标
三星
周
K4M513233E-XXXX
V
DD
/V
SS
V
DDQ
/V
SSQ
符号
A
A
1
E
E
1
D
D
1
e
b
z
民
-
0.30
-
-
-
-
-
0.40
-
典型值
1.30
0.35
11.00
6.40
13.00
11.20
0.80
0.45
-
最大
1.40
0.40
-
-
-
-
-
0.50
0.10
2004年2月
K4M513233E - M（ E） C / L / F
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
ss
在V电压
DD
供应相对于V
ss
储存温度
功耗
短路电流
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
T
英镑
P
D
I
OS
价值
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
移动SDRAM
单位
V
V
°C
W
mA
-55 ~ +150
1.0
50
注意事项：
如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
直流工作条件
推荐工作条件（电压参考V
SS
= 0V ，T
A
= -25至70° C）
参数
电源电压
V
DDQ
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
输出逻辑高电平
输出逻辑低电压
输入漏电流
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
2.7
2.2
-0.3
2.4
-
-10
3.0
3.0
0
-
-
-
3.6
V
DDQ
+ 0.3
0.5
-
0.4
10
V
V
V
V
V
uA
1
2
I
OH
= -2mA
I
OL
= 2毫安
3
符号
V
DD
民
2.7
典型值
3.0
最大
3.6
单位
V
记
注意事项：
1. VIH （最大值） = 5.3V AC.The过冲电压的持续时间是
≤
3ns.
2. VIL （分钟） = -2.0V交流。下冲电压持续时间
≤
3ns.
3.任何输入0V
≤
VIN
≤
VDDQ 。
输入漏电流包括高阻输出漏所有双向缓冲器，三态输出。
4. Dout为禁用， 0V
≤
VOUT
≤
VDDQ 。
电容
(V
DD
= 3.0V & 3.3V ，T
A
= 23 ° C，F = 1MHz时， V
REF
=0.9V
±
50毫伏）
针
时钟
RAS ， CAS，WE ， CS ， CKE
DQM
地址
DQ
0
？ DQ
31
符号
C
CLK
C
IN
C
IN
C
添加
C
OUT
民
3.0
3.0
1.5
3.0
3.0
最大
12.0
12.0
6.0
12.0
6.5
单位
pF
pF
pF
pF
pF
记
2004年2月
K4M513233E - M（ E） C / L / F
DC特性
推荐工作条件（电压参考V
SS
= 0V ，T
A
= -25至70° C）
移动SDRAM
VERSION
参数
符号
测试条件
-75
工作电流
（一银行活动）
预充电待机电流在
掉电模式
突发长度= 1
t
RC
≥
t
RC
（分钟）
I
O
= 0毫安
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
= 10ns的
-1H
-1L
单位
记
I
CC1
170
160
150
mA
1
I
CC2
P
1.5
mA
1.5
20
mA
10
8
mA
8
45
mA
I
CC2
PS CKE & CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
I
CC2
N
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
CC
= 10ns的
输入信号时为20ns一次改变
预充电待机电流
在非掉电模式
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
I
CC2
NS
输入信号是稳定的
I
CC3
P
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
= 10ns的
主动待机电流
在掉电模式
I
CC3
PS CKE & CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
I
CC3
N
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
CC
= 10ns的
输入信号时为20ns一次改变
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
输入信号是稳定的
I
O
= 0毫安
第一阵
4Banks激活
t
CCD
= 2CLKs
t
RC
≥
t
RC
（分钟）
-C
-L
主动待机电流
在非掉电模式
（一银行活动）
I
CC3
NS
40
mA
工作电流
（突发模式）
I
CC
4
230
210
210
mA
1
刷新当前
I
CC
5
350
330
1800
300
mA
uA
2
4
5
1500
最多40
850
600
500
最高70
1300
900
700
uA
°C
自刷新电流
I
CC
6
CKE
≤
0.2V
-F
内部TCSR
全阵列
全阵列的1/2
全阵列的1/4
3
6
注意事项：
1.测量与产出开放。
2.刷新周期是64毫秒。
3.内部TCSR可以支持（在工业温度：最高40℃ /最大70 ℃）下
4. K4M513233E -M （E ）C **
5. K4M513233E -M （E ）l **
6. K4M513233E -M （E ）F **
7.除非另有说明，输入摆动IeveI是CMOS （VIH / VIL = VDDQ / VSSQ ） 。
2004年2月
K4M513233E - M（ E） C / L / F
4M X 32位×4银行移动SDRAM的90FBGA
特点
3.0V & 3.3V电源。
LVCMOS与复用地址兼容。
四家银行的操作。
MRS循环地址重点项目。
- 。 CAS延迟（1,2 & 3）。
- 。突发长度（1， 2，4， 8 &全页）。
- 。突发类型（顺序&交错） 。
EMRS周期地址重点项目。
所有输入进行采样，该系统的正向边沿
时钟。
突发读取单个位的写操作。
特殊功能的支持。
- 。 PASR （部分阵列自刷新） 。
- 。内部TCSR （温度补偿自刷新）
DQM用于屏蔽。
自动刷新。
64ms的刷新周期（ 8K循环） 。
商业操作温度（ -25 ° C 70 ° C） 。
2Chips DDP 90Balls FBGA封装，具有0.8mm焊球间距
（ -MXXX ：含铅， -EXXX ：无铅） 。
移动SDRAM
概述
该K4M513233E是536870912位同步高速数据
率动态RAM组织为4× 4196304字32位，
制造与三星的高性能CMOS技
术。同步设计允许与精确的周期控制
使用系统时钟和I / O的交易可能在每个
时钟周期。工作频率范围，可编程
脉冲串的长度和可编程延迟允许相同
装置可用于各种高带宽和高性有用
formance存储器系统的应用程序。
订购信息
产品型号
K4M513233E-M(E)C/L/F75
K4M513233E-M(E)C/L/F1H
K4M513233E-M(E)C/L/F1L
最大频率。
133MHz(CL=3)
105MHz(CL=2)
105MHz(CL=3)
*1
LVCMOS
90 FBGA
有铅（无铅）
接口
包
- M（ E） C / L / F ：普通/低/低功耗，商用温度（ -25 ° C 70 ° C）
注意事项：
1.对于40MHz的频率， CL1可以得到支持。
2.三星不得要约出售或直接或通过与第三方的代理销售两种，而且包括DRAM内存产品"Multi ，塑料模具
DRAM"用作一般的和科学的计算机部件，例如，通过例如，大型机，服务器，工作站或台式方式
电脑的前三年任期五年本许可的。本文中没有限制三星的使用权在其他多芯片DRAM塑料
产品或根据paragrangh其中包括例如笔记本电脑或其他方式应用，如移动，电信或非计算机应用（
笔记本电脑，移动电话，电视机或视频监视器）
违反可能会受到客户的合法要求，也排除了对从Samsung."侵权的任何保证。
3.三星没有设计或制造用于在设备或系统，该系统是根据情况使用在人的生命是可能处于危险中。
请在三星电子考虑产品所包含的任何具体使用时，接触到存储器的营销团队
目的，如医疗，航空航天，核能，军工，汽车或海底中继器的使用。
2004年2月
K4M513233E - M（ E） C / L / F
功能框图
移动SDRAM
I / O控制
LWE
数据输入寄存器
BANK SELECT
LDQM
4M ×32
SENSE AMP
4M ×32
4M ×32
4M ×32
刷新计数器
输出缓冲器
行解码器
行缓冲区
DQI
地址寄存器
LRAS
CLK
CKE
CLK
添加
列解码器
上校缓冲区
LRAS
LCBR
延迟&突发长度
LCKE
LCBR
LWE
LCAS
编程注册
LWCBR
LDQM
注册时间
CS
RAS
CAS
WE
DQM
2004年2月
K4M513233E - M（ E） C / L / F
包装尺寸和引脚配置
<底视图
*1
＆ GT ;
E
1
9
A
B
C
D
D
E
F
G
D
1
H
J
K
D/2
L
M
N
P
R
E
E/2
引脚名称
CLK
CS
A
A1
Substrate(2Layer)
移动SDRAM
<顶视图
*2
＆ GT ;
90Ball （ 6×15 ） FBGA
8
7
6
5
4
3
2
1
e
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
1
DQ26
DQ28
V
SSQ
V
SSQ
V
DDQ
V
SS
A4
A7
CLK
DQM1
V
DDQ
V
SSQ
V
SSQ
DQ11
DQ13
2
DQ24
V
DDQ
DQ27
DQ29
DQ31
DQM3
A5
A8
CKE
NC
DQ8
DQ10
DQ12
V
DDQ
DQ15
3
V
SS
V
SSQ
DQ25
DQ30
NC
A3
A6
A12
A9
NC
V
SS
DQ9
DQ14
V
SSQ
V
SS
7
V
DD
V
DDQ
DQ22
DQ17
NC
A2
A10
NC
BA0
CAS
V
DD
DQ6
DQ1
V
DDQ
V
DD
8
DQ23
V
SSQ
DQ20
DQ18
DQ16
DQM2
A0
BA1
CS
WE
DQ7
DQ5
DQ3
V
SSQ
DQ0
9
DQ21
DQ19
V
DDQ
V
DDQ
V
SSQ
V
DD
A1
A11
RAS
DQM0
V
SSQ
V
DDQ
V
DDQ
DQ4
DQ2
引脚功能
系统时钟
芯片选择
时钟使能
地址
银行选择地址
行地址选通
列地址选通
写使能
数据输入/输出面膜
数据输入/输出
电源/接地
数据输出电源/接地
[单位：mm ]
CKE
A
0
~ A
12
BA
0
BA
1
RAS
CAS
WE
DQM
0
DQM
3
DQ
0
~
31
b
z
<顶视图
*2
＆ GT ;
＃ A1球原产地指标
三星
周
K4M513233E-XXXX
V
DD
/V
SS
V
DDQ
/V
SSQ
符号
A
A
1
E
E
1
D
D
1
e
b
z
民
-
0.30
-
-
-
-
-
0.40
-
典型值
1.30
0.35
11.00
6.40
13.00
11.20
0.80
0.45
-
最大
1.40
0.40
-
-
-
-
-
0.50
0.10
2004年2月
K4M513233E - M（ E） C / L / F
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
ss
在V电压
DD
供应相对于V
ss
储存温度
功耗
短路电流
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
T
英镑
P
D
I
OS
价值
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
移动SDRAM
单位
V
V
°C
W
mA
-55 ~ +150
1.0
50
注意事项：
如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
直流工作条件
推荐工作条件（电压参考V
SS
= 0V ，T
A
= -25至70° C）
参数
电源电压
V
DDQ
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
输出逻辑高电平
输出逻辑低电压
输入漏电流
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
2.7
2.2
-0.3
2.4
-
-10
3.0
3.0
0
-
-
-
3.6
V
DDQ
+ 0.3
0.5
-
0.4
10
V
V
V
V
V
uA
1
2
I
OH
= -2mA
I
OL
= 2毫安
3
符号
V
DD
民
2.7
典型值
3.0
最大
3.6
单位
V
记
注意事项：
1. VIH （最大值） = 5.3V AC.The过冲电压的持续时间是
≤
3ns.
2. VIL （分钟） = -2.0V交流。下冲电压持续时间
≤
3ns.
3.任何输入0V
≤
VIN
≤
VDDQ 。
输入漏电流包括高阻输出漏所有双向缓冲器，三态输出。
4. Dout为禁用， 0V
≤
VOUT
≤
VDDQ 。
电容
(V
DD
= 3.0V & 3.3V ，T
A
= 23 ° C，F = 1MHz时， V
REF
=0.9V
±
50毫伏）
针
时钟
RAS ， CAS，WE ， CS ， CKE
DQM
地址
DQ
0
？ DQ
31
符号
C
CLK
C
IN
C
IN
C
添加
C
OUT
民
3.0
3.0
1.5
3.0
3.0
最大
12.0
12.0
6.0
12.0
6.5
单位
pF
pF
pF
pF
pF
记
2004年2月
K4M513233E - M（ E） C / L / F
DC特性
推荐工作条件（电压参考V
SS
= 0V ，T
A
= -25至70° C）
移动SDRAM
VERSION
参数
符号
测试条件
-75
工作电流
（一银行活动）
预充电待机电流在
掉电模式
突发长度= 1
t
RC
≥
t
RC
（分钟）
I
O
= 0毫安
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
= 10ns的
-1H
-1L
单位
记
I
CC1
170
160
150
mA
1
I
CC2
P
1.5
mA
1.5
20
mA
10
8
mA
8
45
mA
I
CC2
PS CKE & CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
I
CC2
N
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
CC
= 10ns的
输入信号时为20ns一次改变
预充电待机电流
在非掉电模式
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
I
CC2
NS
输入信号是稳定的
I
CC3
P
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
= 10ns的
主动待机电流
在掉电模式
I
CC3
PS CKE & CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
I
CC3
N
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
CC
= 10ns的
输入信号时为20ns一次改变
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
输入信号是稳定的
I
O
= 0毫安
第一阵
4Banks激活
t
CCD
= 2CLKs
t
RC
≥
t
RC
（分钟）
-C
-L
主动待机电流
在非掉电模式
（一银行活动）
I
CC3
NS
40
mA
工作电流
（突发模式）
I
CC
4
230
210
210
mA
1
刷新当前
I
CC
5
350
330
1800
300
mA
uA
2
4
5
1500
最多40
850
600
500
最高70
1300
900
700
uA
°C
自刷新电流
I
CC
6
CKE
≤
0.2V
-F
内部TCSR
全阵列
全阵列的1/2
全阵列的1/4
3
6
注意事项：
1.测量与产出开放。
2.刷新周期是64毫秒。
3.内部TCSR可以支持（在工业温度：最高40℃ /最大70 ℃）下
4. K4M513233E -M （E ）C **
5. K4M513233E -M （E ）l **
6. K4M513233E -M （E ）F **
7.除非另有说明，输入摆动IeveI是CMOS （VIH / VIL = VDDQ / VSSQ ） 。
2004年2月
