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初步数据表
MOS场效应
2SK3435
开关
N沟道功率MOS FET
工业用
订购信息
产品型号
2SK3435
2SK3435-S
2SK3435-Z
TO-220AB
TO-262
TO-220SMD
描述
的2SK3435是N沟道MOS场效应晶体管
设计用于高电流的开关应用。
特点
超低导通电阻:
R
DS(on)1
= 14 mΩ以下。 (V
GS
= 10 V,I
D
= 40 A)
5
R
DS(on)2
= 22 mΩ以下。 (V
GS
= 4.0 V,I
D
= 40 A)
内置栅极保护二极管
(TO-220AB)
5
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 3200 pF的典型。
绝对最大额定值(T
A
= 25°C)
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D( DC)的
I
D(脉冲)
P
T
P
T
T
ch
T
英镑
I
AS
E
AS
60
±20
±80
±320
84
1.5
150
-55到+150
31
96
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
(TO-262)
5
总功率耗散(T
C
= 25°C)
总功率耗散(T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
5
5
单雪崩电流
Note2
单雪崩能量
Note2
注意事项1 。
PW
10
S,占空比
1 %
2.
起始物为
ch
= 25 ° C,R
G
= 25
,
V
GS
= 20 V
0 V
(TO-220SMD)
热阻
5
渠道情况
渠道环境
R
TH( CH-C )
R
第(章-a)的
1.49
83.3
° C / W
° C / W
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供应及其他信息。
文档编号
D14604EJ1V0DS00 (第1版)
发布日期2000年3月NS CP ( K)
日本印刷
商标
5
表示主要修改点。
1999, 2000
2SK3435
电气特性(T
A
= 25 °C)
特征
漏极至源极导通电阻
符号
R
DS(on)1
R
DS(on)2
栅极到源截止电压
V
GS ( OFF )
| y
fs
|
I
DSS
I
GSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F( S- D)的
t
rr
Q
rr
I
F
= 80 A,V
GS
= 0 V
I
F
= 80 A,V
GS
= 0 V,
的di / dt = 100 A /
s
I
D
= 80 A,V
DD
= 48 V, V
GS
= 10 V
I
D
= 40 A,V
GS ( ON)
= 10 V, V
DD
= 30 V,
R
G
= 10
测试条件
V
GS
= 10 V,I
D
= 40 A
V
GS
= 4.0 V,I
D
= 40 A
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
V
DS
= 10 V,I
D
= 40 A
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V , F = 1兆赫
3200
520
260
80
1200
200
350
60
10
16
1.0
46
66
1.5
21
分钟。
典型值。
11
16
2.0
43
10
±10
马克斯。
14
22
2.5
单位
m
m
V
S
5
5
正向转移导纳
漏极漏电流
门源漏电流
A
A
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
5
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
5
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
5
5
5
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
5
5
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试电路1雪崩能力
D.U.T.
R
G
= 25
PG 。
V
GS
= 20
0 V
BV
DSS
V
DS
V
GS
0
50
L
V
DD
测试电路2开关时间
D.U.T.
R
L
PG 。
R
G
V
DD
I
D
90 %
90 %
V
GS
V
GS
电波表
0
10 %
V
GS
(上)
90 %
I
AS
I
D
V
DD
I
D
I
D
电波表
0 10 %
10 %
τ
τ
= 1
s
占空比
1 %
t
D(上)
t
on
t
r
t
D(关闭)
t
关闭
t
f
起始物为
ch
测试电路3栅极电荷
D.U.T.
I
G
= 2毫安
50
R
L
V
DD
PG 。
2
初步数据表D14604EJ1V0DS00
2SK3435
封装图(单位:mm )
1 ) TO- 220AB ( MP -25 )
2 ) TO- 262 ( MP -25鳍片切割)
3.0±0.3
10.6 MAX 。
10.0
4.8最大。
1.0±0.5
φ
3.6±0.2
5.9 MIN 。
1.3±0.2
(10)
4.8最大。
1.3±0.2
15.5 MAX 。
4
4
1 2 3
1
2
3
6.0 MAX 。
12.7分钟。
1.3±0.2
1.3±0.2
12.7分钟。
8.5±0.2
0.75±0.1
2.54 TYP 。
0.5±0.2
2.54 TYP 。
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (漏)
2.8±0.2
0.75±0.3
2.54 TYP 。
0.5±0.2
2.54 TYP 。
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (漏)
2.8±0.2
3 ) TO- 220SMD ( MP- 25Z )
(10)
4
4.8最大。
1.3±0.2
等效电路
1.0±0.5
8.5±0.2
R)
)
0.5
.8R
(
(0
二极管
1.4±0.2
1.0±0.3
2.54 TYP 。 1
2
11±0.4
3.0±0.5
0.5±0.2
3 2.54 TYP 。
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (漏)
保护
二极管
来源
备注
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。
当此装置实际使用时,一个额外的保护电路,如果一个电压从外部要求的
超过额定电压可以施加到该装置。
2.8±0.2
初步数据表D14604EJ1V0DS00
3
2SK3435
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NEC公司或他人的知识产权。
提供用于说明电路,软件和本文件中的相关信息的描述
半导体产品操作和应用实例。这些电路的掺入
软件,并在客户的设备的设计资料须根据负全责
客户。 NEC公司对发生的客户或第三方的任何损失承担任何责任
从使用这些电路,软件和信息时造成当事人。
而NEC公司一直在不断的努力,以增强其半导体器件的可靠性,
的缺陷的可能也不能完全消除。损坏或人身伤害的风险,最大限度地减少人员或
来自于NEC半导体器件的缺陷而产生的财产,客户必须把足够的安全性
在其设计的措施,如冗余度,防火和防故障功能。
NEC公司的设备被分类成下列三个质量等级:
& QUOT ;标准& QUOT ;,& QUOT ;特殊& QUOT ;和& QUOT ;比& QUOT ;.只有特定的质量等级适用于开发基于一个设备
顾客指定"quality保证program"针对特定应用程序。推荐的应用
一个设备取决于其质量等级,如以下所示。客户必须检查每个设备的质量等级
在一个特定的应用程序在使用它之前。
标准:计算机,办公自动化设备,通信设备,测试和测量设备,
音频和视频设备,家用电子电器,机床,个人电子
设备和工业机器人
特别声明:运输设备(汽车,火车,船舶等) ,交通控制系统,防灾
系统,防止犯罪系统,安全设备和医疗设备(不包括专门设计的
生命支持)
具体有:飞机,航空航天设备,海底中继设备,原子能控制系统,生命
支持系统或用于生命支持等医疗设备
NEC的设备的质量等级是"Standard"除非在NEC的数据表或数据手册另有规定。
如果用户打算使用的应用程序比标准质量等级规定的其他NEC的设备,
他们应该提前联系本公司销售代表。
M7 98. 8
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NEC
21+
2800
TO-220
场效应管
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联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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NEC
2010+
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NEC
20+
6000
TO263
百分之百原装进口现货
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联系人:陈
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NEC
19+
32363
TO-220
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21+
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