【K6T4008V1C ， K6T4008U1C家庭文档标题512Kx8位低功耗和低电压CMOS静态R】,IC型号K6T4008U1C-YB10,K6T4008U1C-YB10 PDF资料,K6T4008U1C-YB10经销商,ic,电子元器件-51电子网

K6T4008V1C ， K6T4008U1C家庭

文档标题

512Kx8位低功耗和低电压CMOS静态RAM

CMOS SRAM

修订历史

修订历史号

0.0

0.1

最初的草案

Revisied

- 速度斌变化

KM68U4000C ： 85 / 100纳秒

→

70/85/100ns

- 直流特性变化

： 5毫安在读/写

→

4毫安在读

CC1

： 3毫安

→

4mA

CC2

： 35毫安

→

30mA

： 0.5毫安

→

0.3mA

SB1

: 10A

→

15μA的商业部分

- 添加32 TSOP1-0820

正确的勘误表

- 32 TSOP1-0813产品：T已

→

敲定

数据稿

1998年1月13日

1998年6月12日

备注

ADVANCE

初步

0.11

1998年11月7日

1.0

1999年1月15日

最终科幻

所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。， LTD 。保留更改规格的权利，

产品。三星电子将回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。

修订版1.0

1999年1月

K6T4008V1C ， K6T4008U1C家庭

512K × 8位低功耗和低电压CMOS静态RAM

特点

工艺技术： TFT

组织： 512K × 8

电源电压

K6T4008V1C系列： 3.0 3.6V

K6T4008U1C系列： 2.7 3.3V

低数据保持电压： 2V （最小值）

三态输出与TTL兼容

封装类型： 32 - SOP- 525 ， 32 TSOP2-400F / R

32 TSOP1-0820F ， 32 TSOP1-0813.4F

CMOS SRAM

概述

该K6T4008V1C和K6T4008U1C家庭被制作

三星先进的CMOS工艺技术。该fami-

就在于支持各种工作温度范围内，并有VAR-

系统设计的灵活性，用户欠条封装类型。该

家人也支持低数据保持电压的电池

备份操作具有低的数据保持电流。

产品系列

功耗

产品系列

K6T4008V1C-B

K6T4008U1C-B

K6T4008V1C-F

K6T4008U1C-F

1. paramerter度用30pF的测试负载。

工作温度范围的Vcc

3.0~3.6V

2.7~3.3V

Industrial(-40~85°C)

3.0~3.6V

2.7~3.3V

速度

/85ns

八十五分之七十○ / 100纳秒

70 / 85ns

八十五分之七十○ / 100纳秒

待机

SB1

，最大值）

15A

操作

CC2

，最大值）

PKG型

Commercial(0~70°C)

30mA

20A

32-SOP

32-TSOP2-F/R

32-TSOP1-F

32-sTSOP1-F

引脚说明

A18

A16

A14

A12

I/O1

I/O2

I/O3

VSS

VCC

A15

A17

A13

A11

A10

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

VCC

A15

A17

A13

A11

A10

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

A18

A16

A14

A12

I/O1

I/O2

I/O3

VSS

功能框图

CLK GEN 。

预充电电路。

A12

A14

A16

A18

32-SOP

32-TSOP2

（向前）

32-TSOP2

（反转）

ROW

SELECT

存储阵列

1024行

512 × 8列

I / O

A11

A13

A17

A15

VCC

A18

A16

A14

A12

A10

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

VSS

I/O3

I/O2

I/O1

I / O

数据

CONT

I / O电路

列选择

32-TSOP1

32-

TSOP1

（向前）

数据

CONT

A2 A3 A8 A9 A10 A11 A13 A15 A17

控制

逻辑

名字

功能

名字

VCC

VSS

功能

动力

地

地址输入

写使能输入

片选输入

输出使能输入

I / O

-I / O

数据输入/输出

三星电子有限公司

保留更改产品规格，恕不另行通知。

修订版1.0

1999年1月

K6T4008V1C ， K6T4008U1C家庭

产品列表

商用产品温度（ 0 70 ° C）

部件名称

K6T4008V1C-GB70

K6T4008V1C-GB85

K6T4008V1C-VB70

K6T4008V1C-VB85

K6T4008V1C-MB70

K6T4008V1C-MB85

K6T4008V1C-TB70

K6T4008V1C-TB85

K6T4008V1C-YB70

K6T4008V1C-YB85

K6T4008U1C-GB70

K6T4008U1C-GB85

K6T4008U1C-GB10

K6T4008U1C-VB70

K6T4008U1C-VB85

K6T4008U1C-VB10

K6T4008U1C-MB70

K6T4008U1C-MB85

K6T4008U1C-MB10

K6T4008U1C-TB70

K6T4008U1C-TB85

K6T4008U1C-TB10

K6T4008U1C-YB70

K6T4008U1C-YB85

K6T4008U1C-YB10

功能

32 - SOP ，为70ns ， 3.3V ， LL

32 - SOP ， 85ns ， 3.3V ， LL

32 TSOP2 -F ，为70ns ， 3.3V ， LL

32 TSOP2 -F ， 85ns ， 3.3V ， LL

32 TSOP2 -R ，为70ns ， 3.3V ， LL

32 TSOP2 -R ， 85ns ， 3.3V ， LL

32 TSOP1 -F ，为70ns ， 3.3V ， LL

32 TSOP1 -F ， 85ns ， 3.3V ， LL

32 sTSOP1 -F ，为70ns ， 3.3V ， LL

32 sTSOP1 -F ， 85ns ， 3.3V ， LL

32 - SOP ，为70ns ， 3.0V ， LL

32 - SOP ， 85ns ， 3.0V ， LL

32 - SOP ，为100ns ， 3.0V ， LL

32 TSOP2 -F ，为70ns ， 3.0V ， LL

32 TSOP2 -F ， 85ns ， 3.0V ， LL

32 TSOP2 -F ，为100ns ， 3.0V ， LL

32 TSOP2 -R ，为70ns ， 3.0V ， LL

32 TSOP2 -R ， 85ns ， 3.0V ， LL

32 TSOP2 -R ，为100ns ， 3.0V ， LL

32 TSOP1 -F ，为70ns ， 3.0V ， LL

32 TSOP1 -F ， 85ns ， 3.0V ， LL

32 TSOP1 -F ，为100ns ， 3.0V ， LL

32 sTSOP1 -F ，为70ns ， 3.0V ， LL

32 sTSOP1 -F ， 85ns ， 3.0V ， LL

32 sTSOP1 -F ，为100ns ， 3.0V ， LL

CMOS SRAM

工业产品温度（ -40 85°C ）

部件名称

功能

32 - SOP ，为70ns ， 3.3V ， LL

32 - SOP ， 85ns ， 3.3V ， LL

32 TSOP2 -F ，为70ns ， 3.3V ， LL

32 TSOP2 -F ， 85ns ， 3.3V ， LL

32 TSOP2 -R ，为70ns ， 3.3V ， LL

32 TSOP2 -R ， 85ns ， 3.3V ， LL

32 TSOP1 -F ，为70ns ， 3.3V ， LL

32 TSOP1 -F ， 85ns ， 3.3V ， LL

32 sTSOP1 -F ，为70ns ， 3.3V ， LL

32 sTSOP1 -F ， 85ns ， 3.3V ， LL

32 - SOP ，为70ns ， 3.0V ， LL

32 - SOP ， 85ns ， 3.0V ， LL

32 - SOP ，为100ns ， 3.0V ， LL

32 TSOP2 -F ，为70ns ， 3.0V ， LL

32 TSOP2 -F ， 85ns ， 3.0V ， LL

32 TSOP2 -F ，为100ns ， 3.0V ， LL

32 TSOP2 -R ，为70ns ， 3.0V ， LL

32 TSOP2 -R ， 85ns ， 3.0V ， LL

32 TSOP2 -R ，为100ns ， 3.0V ， LL

32 TSOP1 -F ，为70ns ， 3.0V ， LL

32 TSOP1 -F ， 85ns ， 3.0V ， LL

32 TSOP1 -F ，为100ns ， 3.0V ， LL

32 sTSOP1 -F ，为70ns ， 3.0V ， LL

32 sTSOP1 -F ， 85ns ， 3.0V ， LL

32 sTSOP1 -F ，为100ns ， 3.0V ， LL

K6T4008V1C-GF70

K6T4008V1C-GF85

K6T4008V1C-VF70

K6T4008V1C-VF85

K6T4008V1C-MF70

K6T4008V1C-MF85

K6T4008V1C-TF70

K6T4008V1C-TF85

K6T4008V1C-YF70

K6T4008V1C-YF85

K6T4008U1C-GF70

K6T4008U1C-GF85

K6T4008U1C-GF10

K6T4008U1C-VF70

K6T4008U1C-VF85

K6T4008U1C-VF10

K6T4008U1C-MF70

K6T4008U1C-MF85

K6T4008U1C-MF10

K6T4008U1C-TF70

K6T4008U1C-TF85

K6T4008U1C-TF10

K6T4008U1C-YF70

K6T4008U1C-YF85

K6T4008U1C-YF10

功能说明

I / O

高-Z

DOUT

DIN

模式

取消

输出禁用

读

写

动力

待机

活跃

1， X表示不关心（必须是在低温或高温状态）

绝对最大额定值

项

任何引脚相对于VSS的电压

在VCC电源相对于Vss电压

功耗

储存温度

工作温度

符号

OUT

英镑

评级

-0.5到V

+0.5

-0.3 4.6

1.0

-65到150

0到70

-40到85

单位

°C

备注

K6T4008V1C -L K6T4008U1C -L-

K6T4008V1C -P K6T4008U1C -P的

1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。功能操作应

仅限于推荐的操作条件。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。

修订版1.0

1999年1月

K6T4008V1C ， K6T4008U1C家庭

建议的直流工作条件

项

电源电压

地

输入高电压

输入低电压

符号

VCC

VSS

产品

K6T4008V1C家庭

K6T4008U1C家庭

所有的家庭

K6T4008V1C ， K6T4008U1C家庭

民

3.0

2.7

2.2

-0.3

典型值

3.3

3.0

CMOS SRAM

最大

3.6

3.3

Vcc+0.3

0.6

单位

注意：

1.商业产品：T已

= 0 70℃ ，特别说明

工业产品：T已

= -40 85 ℃，特别说明

2.过冲： V

+ 2.0V的情况下，脉冲宽度的

≤

30ns

3.冲： -2.0V的情况下脉冲宽度的

≤

30ns

4.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试。

电容

（ F = 1MHz的，T

=25°C)

项

输入电容

输入/输出电容

1.电容进行采样，而不是100 ％测试

符号

测试条件

=0V

民

最大

单位

DC和工作特性

项

输入漏电流

输出漏电流

工作电源电流

平均工作电流

输出低电压

输出高电压

待机电流（ TTL ）

待机电流（ CMOS ）

1.工业产品= 20μA

符号

CC1

CC2

SB1

= VSS到Vcc

测试条件

民

-1

2.2

典型值

最大

0.4

0.3

单位

CS = V

或OE = V

或WE = V

= VSS到Vcc

= 0毫安， CS = V

, V

或V

读

周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我

= 0毫安CS≤0.2V ，V

≤0.2V

或V

≥Vcc-0.2V

循环时间=分钟，100％占空比，我

= 0毫安， CS = V

白细胞介素，

或V

=2.1mA

=-1.0mA

CS = V

，其它输入= V

或V

CS≥Vcc - 0.2V ，其他输入= 0 Vcc的

修订版1.0

1999年1月

K6T4008V1C ， K6T4008U1C家庭

交流工作条件

测试条件

（测试负载和输入/输出参考）

输入脉冲电平： 0.4 2.2V

输入上升和下降时间： 5ns的

输入和输出参考电压： 1.5V

输出负载（见右图）：C

=100pF+1TTL

=30pF+1TTL

1.产品为70ns

CMOS SRAM

1.包括范围和夹具电容

AC特性

（ K6T4008V1C家庭： VCC = 3.0 3.6V ， K6T4008U1C家庭： VCC = 2.7 3.3V

商业产品:: T

= 0 70 ° C，工业产品：T已

= -40 85 ℃）下

速箱

参数表

符号

70ns

民

读周期时间

地址访问时间

芯片选择输出

输出使能到输出有效

读

芯片选择低阻抗输出

输出使能为低阻抗输出

芯片禁用到高阻输出

输出禁止到高阻输出

从地址变更输出保持

写周期时间

片选写的结束

地址建立时间

地址有效到写结束

写

把脉冲宽度

写恢复时间

写入输出高阻

数据写入时间重叠

从时间写数据保持

结束写入到输出低Z

OLZ

OHZ

WHZ

最大

民

85ns

最大

100ns

民

100

最大

100

单位

数据保持特性

项

VCC为数据保留

数据保持电流

数据保留的建立时间

恢复时间

1.工业产品= 20μA

符号

SDR

RDR

测试条件

CS≥Vcc-0.2V

VCC = 3.0V ， CS≥Vcc - 0.2V

看到数据保存波形

民

2.0

典型值

0.5

最大

3.6

单位

修订版1.0

1999年1月