依照可靠性的浴缸曲线,芯片在使用早期会有较高的失效比率,即早夭期。老化用KA337TU来筛选出使用寿命短的芯片,使失效率降低。老化在高温125℃,1.2~1.4倍⒕u高电压下进行,依照产品的可靠性水平,老化的时间在数小时到数十小时。老化的操作模式有静态老化(StaticBurn in,sBI),动态老化(Dynamic Burl△in,DBI),老化加测试(飞st DuⅡlag Burn in,TDBI),圆片老化(Wafer1'evd Burll in,WI'B1)。其中,静态老化只加人V汨电源和高温,不输入信号驱动芯片。动态老化加人V汨电源和高温,并输人信号驱动丿S片做读和写动作。但不控制输入的地址,读出的数据并不做好坏判断。老化加测试(TI,BI),由于老化的操作时间长,所以TDBI将部分长时序的测试图形转移到老化的环节执行.可以降低贵的测试机台时间,

TDBI是一种动态老化的操作模式,1′I9BI的机台需要加人图形产生器和数据比较器,机台岜较为复杂,昂贵,但是省下的测试机台时间还是有较好的经济效益的。

   CMOS电路的特性在静态时的电流消耗非常低,但是如果电路存在缺陷,那就可能引起异常的漏电流.这就是J丨ΙQ测试(quie`ccnt I丨I)的基本原理:对于一组电路正常的芯片来说.它们的静态电流全呈现止态分布∷吧图ls`).冈此.从这组分布.可以定下静态电源电流的测试标准。对于超出电流柝准昀芯叶.即使芯片的功能测试是正常的.也判定为失效。相对于其他的测试项日.JI”Q测试的优点有测试时问短、可以提升町靠度、提高可测试度、降低功耗等。

   mn测试可以侦测到的缺陷有开/短路、桥接、栅氧层击穿等物理缺陷,这些缺陷都会引发明显的Jm旧电流增大。内部连接线的短路与桥接如果存在电位差,即引起升高的电源电流。开路造成下级电路浮接,CMOs间门无法完全紧闭,也形成漏电。

   测试的概念比较直观,容易了解,也容易实现。但要达到高覆盖率的r1m测试,关键是如何在缺陷处形成电位差,引发异常漏电流。这就需要引进测试矢量来配合。许多设计模拟工具可以提供rm)Q测试矢量生成。此外,rI l lQ测试标准也必须跟着定期检查,以避免不正确的rm汨测试标准(specification)设定造成的误杀(over kill)或误放(under kill)。(WI'BI),一般的老化操作是在封装好的芯片L进行,现在先进的老化可以在圆片时执行,储存器在圆片时执行老化需要有特别的可测性设计,称为老化模式(burll in Mode),启动储存器的老化模式之后,全部的储存单元都会同时被拉高电压,圆片老化只需要在进入老化模式的时候输入信号,基本上这是一种静态老化操作。圆片老化是在圆片测试之前或内建在测试程序之中。假若圆片老化产生的失效单元是在冗余修复范围内,那么良率就可提升,这是它的优点之一。但是圆片老化并不能取代封装后老化。