一般光刻胶的分辨率问题是波前到达光刻胶层。简单的截面图像均匀箭头显示到达光线。 PA73M/883在波前的实际辐射具有方向和能量的混合，它们随表面和垂直方向而变。这就是所谓的空气中图形( aerial  image)I‘副。用光学光刻技术解决二分之一和三分之一l_t)m的图形需要的空气中图形管理和操作。控制方法分为三大领域：光学分辨率、光刻胶分辨率的限制和表面的问题。四分之一个问题是刻蚀精度。光刻胶分辨率与曝光光源和所用曝光系统密切相关。

   基本的光刻胶化学式已经随着生产控制，将化学性质与波长的匹配进行改进。

   化学放大( CA)光刻胶被认为是（随着将来的改进）将光刻技术带入90 nm节点及以后的基本平台。如较早期的光刻胶，这些光刻胶基于光敏聚合物、光生酸剂( PAG)、溶解抑制剂、刻蚀阻挡层和酸不稳定及可溶碱基团。411。新光刻胶必须在严酷的等离子体刻蚀的环境中操作。它们不仅必须使图形特征尺寸最小化，通常是栅，还要涉及处理成像密集模式和小金属接触孔。此外，随着线条尺寸接近在光刻胶中的分子尺寸，刻蚀的线边缘粗糙度(line edgeroughness，LER)变成了一个要素。