如图10,12所示,浸人式退火是指在晶圆的温度升高到设定的温度后,继续保持一段时间以达到足够的注人离子活化,薄膜致密化或其他效果。OP177GP一个典型的快速热处理反应室如图10.13所示,大功率的卤素钨灯发光通过石英窗后照射到晶片上,并使晶片加热。因为晶片置于一定的支持物上并只保持边缘接触,这样晶片正面的加热灯光不会漏到晶片的背面,因而置于反射板下的测温计就可以根据黑体辐射的原理侦测到晶片的温度并实时反馈到温度控制器,而温度控制器将得到的温度值与I艺程式去比较来改变各组灯泡的功率,以期达到温度闭环控制的目的。为了提高整个晶片的均匀性,在一些快速热处理设备中,设计额外的功能让晶片在热处理过程中保持一定的速度旋转。浸人式退火主要应用于o.13um及更早的几代CMOS器仵中PN结的形成及井区离子注人后的活化及驱进。