随着CMC)S技术延伸到32/28nm和22/20nm节点以下,传统的平面型器件也将被3D器件双栅Fi艹FET结构等取代,等离子体掺杂在半导体器件制造中应用也提上了日程, OP113FS并且越来越广泛。但传统的离子注人技术,由于它的准确控制性(注入杂质的纯度,浓度及注人深度),优良的而均匀性和重复性(单一硅片和硅片之间),况且离子注人设备本身有非常良好的稳定性和可维护性,又有很强大的生产能力,因此离子注入仍将是掺杂的首选方法。在离子注人设备和置艺不断改进的同时(如离子注人角度的控制,能量污染的控制,低能量离子束的稳定性和生产性的提高等),离子注人的应用范围也得到了不断的拓展,比如说在更先进的金属栅工艺中功函数的调整、金属硅化物接触性能的改善、在应力方面的应用、改变薄膜的性质与改变刻蚀或化学机械研磨的数率等,而各种离子注入技术间的结合(如用低温的大分子以及与其他技术(如退火丁艺)间的结合)也越来越紧密。