据美国FSI公司报道,它的ViPR喷射棒(spray bar)在单晶片喷射清洗机上,使用高温(180℃以上)SPM制程, S912XEG128J2VAA对离子植人后的光阻,无需灰化,有较好的去除能力,可以很好地克服ZETA批处理喷射机台(ZETA spray batch)的缺陷(对于剂量大、能量高的离子植入,这种全湿高温法可能花费较长时间和耗费较多化学品)。最近应用材料公司的SEMIT()OI'部门报道,使用单一晶片湿法处理机台,在硫酸和双氧水喷射到晶片的同时,位于晶片l=方的红外灯辐射,可使SPM在30s内升到300℃,植人剂量在10n~1013atom/cm2的光阻,温度~900℃或稍高都可方便去除,且硅流失少,制程花费也较低[111,如图9.10所示。

   一般来讲,离子植人的成分大多沉积于硅表面的浅层,在热退火之前,任何的表面处理都会对植入剂产生影响[15J。离子植人后的光阻去除剂采用的是SPM、SC1,相比较而言,SPM会形成一层氧化膜,而SC1既氧化又刻蚀,形成的膜层较薄,在热退火后,SC1处理的硅层较SPM处理的硅层,要流失较多的植人剂・16Γ,从而对器件产生较大影响。高温SPM对栅极侧壁sN影响大。