这种去除主要应用在制程的后段,即金属沟道(trench)和金属通孔(via)刻蚀后残留物的清除,与3的第一项类似,但不同的是制程后段不能用强酸(如sPM),强酸易溶解金属。S912XEP100J2VAG一般去除方法也是先氧电浆灰化去除光阻,而对含碳、铜又含硅的副产物,则用多组分的水溶性有机主体混合物(如ATMI公司的ST250或其他)去除。这种混合物含有胺基有机物,可去除残留氟、碳和铜残余物,氟化物去除硅副产物,其他的添加剂抑制铜的氧化。45nm以下技术节点,铜线问的介电层,大多采用虑小于2.6的多空材料,目的是增强信号传输。电浆在刻蚀多空低电介质时,会对电介质产生几个纳米的改变,同时使乃值升高。低乃电介质(UI'K)干刻蚀后的聚合残余物去除时,电介质膜(Si()CH)又寸有机物和极性分子有极强的亲和力,囚此当用有机溶剂清洗UI'K干刻蚀后的聚合残留物时,清洗溶液中的有机物有可能会吸附在介电层沟道的表面,或钻入UI'K的多空腔内,使乃值升高,且残留的有机物也影响下道制程的结果,因此有些制程会要求另外的热处理,来驱赶吸附的有机物・-和水汽,使乃值得以恢复。而另一种方法是,氧电浆灰化之后使用稀释HF,也可达到去除残留物的日的。但稀释HF在去除残留物的同时,会刻蚀损伤的侧壁,使关键尺寸(CD)难以控制:盯,且在使用氮化钛(TiN)作为幕罩,氮化钛表面的氟在一个短的时问后,会滋生副反应。所以UI'K刻蚀后灰化光阻去除,应该是稀HF和有机物的水溶性混合物搭配使用,或无氟强溶性和少量添加剂混合物及其他等,既可去除刻蚀残留物(含Ti、⒏、Cu、C、O、F、H、N),保持虑不变,又生成一层保护膜,使Cu不被腐蚀。