失效分析要从失效现场直至追溯到制造、设计及使用的各个阶段。分析过程通常可以划分为以下四大类:SN74HC04PWR

   (1)电性表征;

   (2)非破坏性分析;

   (3)失效定位;

   (4)物理分析。

   集成电路从设计、钍产、产品良率、可靠性试验、评估,封装,到客户端应用,其失效原因纷繁复杂,因此只能建立一个基本的、具有逻辑性的解决问题的系统性流程而非适用于所有失效的通用分析步骤。同时,建立失效分析报告数据库,以保证合理的失效分析成功率和分析周期。

   通用的失效分析流程可以概括为:

   (1)登人失效分析报告系统;

   (2)资料收集和分析;

   (3)鉴别失效模式;

   (4)失效现象的观察和判定;

   (5)检查外观;

   (6)证实失效;

   (7)非破坏性分析;

   (8)半破坏性分析;

   (9)电学检验复测;

   (10)失效定位;

   (11)物理分析/化学分析;

  (12)FA报告:总结结论、提出建议和改正措施;

   (13)完成报告,在失效分析系统中结案。