电迁移试验口T以用来进一步了解第一种条纹和第二种条纹的影响。由初步MMBFU310LT1试验推算出寿命计算中的″=1,15,Ed=0.85cV。图8,37表示第一种条纹在电迁移寿命试验中起到关键作用,对应于最差的第二种条纹,寿命从51年严重地缩短到了28年。然而,多数的寿命规范大约是10年,这说明最差的条纹电迁移试验仍然在规范内。第二种条纹对电迁移试验没有明显的影响。简单地说,两种条纹对R‘和VBD的影响是完全互不相关的。第一种条纹源于底部抗反射涂层打开步骤,容易导致更糟糕的Rc分布和电迁移现象。而第二种条纹是在主刻蚀和过刻蚀过程中形成的,仅造成VB1)的退化。两个条纹均可以通过调节刻蚀程式来改善。

    成如图8.38(a)和图8.38(b)所示的锥形通孔此相对应的低Cl Fs∷Θ2比导致聚合物缺乏,通孔的侧壁遭到更多的轰击,这增强了低虑侧壁的刻蚀速率,形成r如图8.38(c)所示的圆弧形通孔。图8.39所示为竖卣形和圆弧形通孔相比,锥形通孔对应的R‘更高,尽管所有分组的均匀性都是lJl比的,其根源可以归咎于不同的形状所造成的通孔底部CD间的差异。苴截F当地说,在相同的ADI CD的情况下,Ι组中锥形导致底部的CD较小・而较小的底部CD将减小通孔底部的接触面积.囚而提供更高的R。