图8.35所示为3600个通孔组成的链,用来对不同阶段条纹进行R1测试c图8.36所示为VBD的⒈V曲线,在电迁移(EM)测试中・通孔的尺寸是0,()9×0。O9um`应力电流是0.25mA,应力温度是300℃(见图8.37)。图8.35显示第一种条纹对R‘的变化有着明显的影响.更差的第一种条纹导致很大的R范围。 MMBF4393LT1而第二种条纹对R的影响没有贡献,这可以由从顶部到底部的第一种条纹侧壁粗糙特性来解f+K。这不仪造成j'很大的通孔底部CD的变化,而且造成F不正常的通孔底部形貌。lIsl此,Rt的分布在很大程度上取决于第一种条纹的特征。第二种条纹仅出现在通孔的顶部.不会对通孔的底部产t影响,所以它对R‘的分布没有影响。

   图8,36所示为第一种条纹和第二种条纹对VBD性能的影响。显然,第二种条纹与VBD失效密切相关,这可以归咎于第二种条纹总是同针孔缺陷相伴,而针孔缺陷处没有帽 层来保护低乃薄膜。低乃薄膜,S←CH3和CH键对02等离子的敏感性,造成了低虑薄膜质量的严重退化。第一种条纹对VBD失效没有明昆的影响,囚为它仅出现在底部抗反射涂层打开的过程中,不会损伤帽层。