连接方式(G):传输线为同轴电缆,屏蔽层与源端和负载端连接,负载端接本地地。M25PE80-VMW6TG这时不存在地环路,所以没有地环路影响。外界磁场能穿过的环路面积只有屏蔽层与芯线之间很小的面积,因为屏蔽层可以看作是在其中心轴上放置的一根等效导线,而这根等效导线是非常靠近芯线的。这时的相对屏蔽效能可达gOdB,与连接方式(C)所示的电路两端接地时提高了53dB。

   连接方式(H):传输线为双绞线,连接方式(I)传输线为屏蔽双绞线,都是电路单点接地,屏蔽层也是单点接地c双绞线本身具有磁屏蔽性能,在没有地环路影响下充分发挥了它的磁屏蔽作用,双绞线可达55dB,屏蔽双绞线可达⒛dB。这里比较屏蔽效能可知试验装置中仍有一定的电场耦合,而双绞线是没有电场屏蔽性能的,只有屏蔽双绞线才具各电场屏蔽性能。因此,连接方式(I)比连接方式(H)具有更高的屏蔽效能。

   比较连接方式(I)与连接方式(G),可知同轴电缆磁屏蔽效果比屏蔽双绞线好,这是因为同轴电缆对磁场呈现的环路面积比双绞线更小。当然,如果进一步增加双绞线的单位长度的绞合数,则双绞线的磁屏蔽效能也会提高。在实际应用中低频磁屏蔽电路常优选连接方式(I)所示的屏蔽双绞线,而不是连接方式(G)所示的同轴电缆。这是因为连接方式(I)所示的屏蔽层不是信号电路的一部分,仅是起到电场屏蔽作用,而连接方式(G)中同轴电缆的屏蔽层有信号回流流过。