有研究表明,刻蚀硅时,当TMAH浓度在5%时,刻蚀表面有大量小丘出现,随着浓度的不断增加,ICM7555CD小丘的密度逐步降低,当浓度超过22%时,可以得到光滑的刻蚀表面。

   TMAH对硅的刻蚀速率随着温度的升高而增加,在温度低于glD℃时,刻蚀速率不超过11几m/而n。同时,刻蚀速率随着TMAH的浓度增加而降低。在温度为9()℃、浓度为5%时,TMAH刻蚀硅(100)的速率接近1,5um/min,当浓度增加到22%,刻蚀速率降低1.0um/min,在浓度为40%时,刻蚀速率降低至不到0.5um/min。因此,要获得光滑的刻蚀表面,要求的浓度增加与刻蚀速率随浓度降低形成一对矛盾。

   但是,在TMAH中添加硅酸(H2sα)、过硫酸铵E(NH.)2s20s彐或异丙醇(IPA),通过添加剂的强氧化作用,促使小丘不能形成,可以获得光滑的刻蚀表面。经过TMΛH+硅酸+过硫酸铵混合液刻蚀硅(100)125min后,可以获得光滑的刻蚀表面。