刻蚀I艺技术发展非常迅速,一方面是已有刻蚀工艺的完善提高,如干法刻蚀系统设备的不断改进,工艺水平不断提高;湿法刻蚀也向着标准化、自动化方向进步。ICM7555CBAZ(LF)另一方面,新刻蚀技术也在不断出现并发展,下面仅举几例在干、湿法方面的新技术。

    四甲基氢氧化铵湿法刻蚀

  用于硅的无机刻蚀液一般都含有金属离子,比如KOH的K+、N【)H的Na^、IⅠOH的h+等,这些金属离子对器件是非常有害的,因此有机刻蚀液成为人们关注的焦点。其中,EPW(乙二胺匚NH2(CH2)2NH2彐)、邻苯二酚EC6Hl(OH)2和水(H20)的简称彐刻蚀特性虽然优秀,但是它有剧毒,对人的身体有害,而且刻蚀特性对温度有很强的依赖性,刻蚀液中的痕量成分对刻蚀液具有很大影响。与之相对比,四甲基氢氧化铵(TetraMetl洌Ammonium H洌ro妯cle,TMAH)具有刻蚀速率快、晶向选择性好、低毒性和对CMOS工艺的兼容性好等优点,而成为常用的刻蚀剂。另外,TMAH价格高,并且在刻蚀过程中会形成表面小丘(Hillock),影响表面光滑性。因此对TMAH的研究主要集中在如何通过改变或调整TMAH刻蚀液成分的配比来改变刻蚀特性。