三极溅射是在二极直流溅射设备的基础上增加一个发射电子的热阴极,即构成了三极溅射设备。

   由于热阴极发射电子的能力较强,因而放电气压可以维持在较低的水平上,这有利PI3USB10ZEEX于提高淀积速率、减少气体杂质的污染。

   三极溅射设备典型的工作条件为:工作气压0.5Pa,溅射电压1500V,靶电流密度为2.0mV耐,薄膜淀积速率约为0,3凹/lxun。

   三极溅射方法的缺点是难以获得大面积且分布均匀的等离子体,且提高薄膜淀积速率的能力有限,因而这种设备并未获得广泛应用。            

   与三极溅射类似的方法还有四极溅射,是在二极设各上再增加一个辅助阳极构成的。通过提高辅助阳极的电流密度即可提高等离子体中离子的浓度,从而提高薄膜的淀积速率,而且轰击靶的离子流叉可以得到独立的调节。