线缺陷最常见的就是位错。在位错附近,原子排列偏离了严格的周期性,相对位置发生了错乱。 GAL22V10位错主要有刃(形)位错和螺(旋)位错,如图⒈9所示是硅晶体中位错示意图。图(a)是刃位错,可以看成在晶体中额外插人了一列原子或一个原子面,位错线AB垂直于滑移方向。图(b)是螺位错,可以看成原来一族平行晶面变成单个晶面所组成的螺旋阶梯。螺位错的位错线AD和滑移方向平行。

   位错是点缺陷的延伸,是点缺陷结团在一起形成的。晶体中每个点缺陷都与表面能量相联系,缺陷的表面积越大,存储在缺陷中的能量就越大。在热力学平衡状态,一个体系的能量将趋向于最小化,相同原子个数的点缺陷的表面积比线缺陷的表面积大,点缺陷的能量也就高。所以,在晶体中,随机运动的点缺陷将倾向于积聚在一起,形成线缺陷或其他更高维数的缺陷,以释放掉多余的能量,这个过程称为结团。

   晶体中的位错不是固定不动的,可以运动。图110所示是刃位错的两种运动方式:滑移和攀移。对一般晶体来说,沿某些晶面容易发生滑移,这样的晶面称为滑移面。构成滑移面的条件是该面上的原子面密度大,而晶面之间的原子价键密度小,间距大。对硅晶体来说,(111}晶面中,两层双层密排面之间由于价键密度最小,结合最弱,因此,滑移常常沿"11)晶面发生,位错线也就多在(111)晶面之间。