溅射工艺和蒸镀工艺一样,也多在制备微电子器件内电极或集成电路互连系统的金属、合金及PIC16F687T-I/ML硅化物薄膜时使用。因此,要求溅射工艺制备的薄膜保形覆盖特性、附着性、致密性要好。对于金属薄膜最好能够控制其多晶态晶粒结构;又寸于合金或硅化物薄膜最好能够准确控制其组成成分。

   溅射与蒸镀薄膜质量的比较

   (1)溅射薄膜的保形覆盖特性好于蒸镀薄膜。溅射逸出的靶原子到达衬底后一旦被吸附将沿着表面扩散,聚集成核,如果在表面的扩散迁移率高,就能形成平滑的保形性好的连续薄膜。而吸附在衬底表面原子的扩散迁移率是由衬底温度和原子自身能量高低决定的。从靶面逸出的溅射原子比从源蒸发原子的动能高1~2个数量级,即使在到达衬底之前溅射原子与等离子体碰撞能量有所损失,但相对于在高真空下直线到达衬底的蒸发原子能量仍高得多,特别是磁控溅射原子,也是在高真空下直线到达衬底的,原子能量更高。因此,即使是在常温衬底上溅射的薄膜也有较好的台阶覆盖特性。

   (2)溅射薄膜附着性好于蒸镀薄膜。由于溅射原子能量远高于蒸发原子能量,淀积成膜过程中.通过能量转换产生的热能较高,从而增强了溅射原子与衬底的附着力。

   (3)溅射薄膜较蒸镀薄膜密度大,针孔少。这也是因为溅射原子能量较高,使得其在衬底扩散迁移能力强,经充分扩散,所淀积的薄膜也就致密了。