在集成电路制造中用到多种金属化合物薄膜,例如,在多晶硅/难熔金属硅化物(Polyode)多层栅结构中应用的金属硅化物,如WSi、TaSi和MoS等; AD9258BCPZ-80在金属多层互连系统中的附着层和(金属化合物的化学气相淀积或)扩散阻挡层的氮化物,如TiN等。由于LPCVD工艺要求的真空度不高,适合大批量生产,淀积的薄膜比PVD薄膜的台阶覆盖性更好,囚此,金属化合物薄膜已由传统的PCVD工艺,到开始采用LPC、①工艺。例如,LPCX/ˉD WS、LPCⅥ》TlN薄膜已得到广泛应用,成为集成WSir薄膜在Po~odc的存储器芯片中被用做字线和位线,WS辶也可作为覆盖式钨的附着层。

   WSⅡ是在集成电路工艺中应用最多的硅化物。通常,WSiJ薄膜采用LPCVD工艺制备。LPCⅥ)WS辶一般用WF6/SiH1作为反应剂,在30O~400℃、6.7~40kPa下,在冷壁式反应器中淀积。工艺方法与CⅥ)W相似,但需要增大sH1的流量,过量的⒏H1生长的薄膜就是WS。