WSir薄膜在Po~odc的存储器芯片中被用做字线和位线,WSi也可作为覆盖式钨的附着层。

  WSⅡ是在集成电路工艺中应用最多的硅化物。AD9434BCPZ-500通常,WSiJ薄膜采用LPCVD工艺制备。

  LPCⅥ)WS一般用WF6/SiH1作为反应剂,在30O~400℃、6.7~40kPa下,在冷壁式反应器中淀积。工艺方法与CⅥ)W相似,但需要增大sH1的流量,过量的⒏H1生长的薄膜就是WS。化学反应方程式为

  WF6(g)+2siH1(g) →WSi2(s)+6HF(⒆+H2(g)

  在薄膜淀积过程中,WSi2生成的同时也伴随着过量的s集结在晶界处,所以化学式用WS辶来表示。然而,如果J<2,在后面的高温工艺过程中,WS1薄膜易于从多晶硅上碎裂剥离;当宓>2时,硅化物薄膜中将含有过量的硅,可以避免薄膜碎裂剥离,从而避免损耗下方的多晶材料。因此,在实际淀积WSi:的工艺中,⒊H1/WF6流量比超过10,以保证可以获得J=2,2~2,6的W。在这种情况下淀积的WS辶有较高的电阻率,约为500uΩ・cm。如果在900℃温度下进行快速退火,电阻率可降低至大约50uΩ・cm。CⅥ)WS1的电阻率还依赖于J的大小,当含硅量增大时,即J比较大时,薄膜的电阻率也增大。

  上述工艺方法制备的WS薄膜中,含有较高浓度的F。如果反应剂中的SiH4改用α3(⒏H2C炻),在570~600℃范围淀积,能降低F的含量。近年来,随着C`①技术的发展,出现了集多晶硅淀积、多晶硅掺杂、硅化物淀积于一体的多功能淀积系统。在这种淀积系统中能将Poly。de结构连续淀积完成。