基于以上特点,多晶硅薄膜在微电子工艺中有许多重要应用。高掺杂的多晶硅薄膜在MOS集成电路中普遍作为栅电极和互连引线。 ACT4455YH-T在多层互连工艺中,可以使用多层多晶硅技术,并且可以在多晶硅上热生长或者淀积一层二氧化硅,以保证层与层之问的电学隔离。在自对准I艺技术中,利用多晶硅的耐高温特性可用其作为扩散掩膜。低掺杂的多晶硅薄膜在SRAM中用于制作高值负载电阻;也可以用于介质隔离技术,作为深槽(或浅槽)隔离中的填充物。

   本征多晶硅薄膜随着晶粒尺寸的减小,晶粒进人了纳米尺度时电阻率迅速增大,可以达到3×106Ω・clll,成为半绝缘薄膜。早期,将这种半绝缘薄膜称为非晶硅薄膜,记为犷⒊:H,其中的H主要是因为这种薄膜多采用PECˇ0方法制各,薄膜中含有氢的缘故。该薄膜广泛用于微电子工艺中,作为高压器件的高阻层和场成形层及表面钝化膜。实际上,这种半绝缘薄膜硅晶粒尺度是在纳米量级。近年来,随着纳米科技的发展,对纳米多晶硅薄膜的研究报道不断增加,用途也在不断拓展。