常用的APCVD方法是用TEOS/03系统来淀积SK)2。TEOS是有机物质,常温时为液态,凝固点为-77℃,沸点为168.1℃。液态TEOS源通常置于源瓶中用载气鼓泡方式携带,同时用自身独立的加热器对源加温,K4B1G1646G-BCKO因而进人反应室TEOS的浓度受载气流速和加热温度这两个因素控制。臭氧03包含二个氧原子,它比氧气有更强的反应活性,在较低温下,03就能使TEOs分解,而且可以得到较高的淀积速率。例如,在300℃时加人3%的03,淀积速率达100~~900nm/n△ln;而在4O0℃只需要加人1%~2%的臭氧就可以达到这一淀积速率。因此,以TEOS/O3为反应剂的是低温△艺,I艺温度约为400℃。

   在⒊O2薄膜中会含有水汽,因而针孔密度较高,通常需要高温退火去除潮气,提高薄膜致密度。进行退火,对本工艺方法来说也就增加了能耗cAPCVD用TEOS/03来淀积⒏O2薄膜的主要优点是以TE(B为硅源,在淀积过程中,因TE(E与氧化硅的黏滞系数低,表面再发射能力强,对于有高深宽比孔洞和沟槽等微结构衬底的覆盖能力、填充能力优良,薄膜的均匀性就好。这种薄膜的电学特性也较好,可以作为绝缘介质薄膜,如集成电路各单元之间的浅槽隔离工艺中的氧化层介质膜就可以采用APCl/D TE(B/03方法淀积。另外,APCX△D是利用热能激活的C、⑩工艺,用TE(B/O3来低温淀积⒊02,避免了常规低温PECl/ˉD(或HDP CX/ˉlD)工艺方法在淀积s02薄膜时,由于等离子体的作用,对衬底硅片表面和边角带来的损伤。通常淀积s02薄膜是将APCVD TEOS/O3方法和其他方法结合起来使用,如将⒏H4/o2和TEOS/O3两种方法联用。这一方面是利用以TEOs/O3为反应剂能改善薄膜的台阶覆盖特性,另一方面能减小TEOS/O3在淀积厚膜时带来的张应力和减弱TEOS/03对下面膜层的敏感度。

   用TEO。方法即可以淀积非掺杂sQ薄膜,用于金属层之间的绝缘层,也可以掺人PH3,形成RC,或者再掺人B,践,形成BPS。阝r和驴℃都可作为制各金属化系统之前的绝缘层,然后高温回流。RC回流条件为950℃,15~30血n;叩℃回流条件为800℃,60n△n。回流使掺杂的氧化层表面平坦、致密,且坚固。一个平坦的表面对于下一步的淀积薄膜或光刻图形都有利。近年来,在超大规模射能力都很低,这种方法的台阶覆盖能力和孔洞或沟槽的填充能力也就很差。因此,对于超大规模集成电路的关键应用来说,APCVD方法并不适用。