常用的施主、受主杂GM386S8质在硅晶体中只能形成有限替位式固溶体。替位杂质的原子半径不是大于就是小于硅原子半径,在1.2.2节中提到晶格的失配也可能引起位错。当在同一硅晶体中,若某一部分掺入数量较多的外来原子,就会使晶格发生压缩或膨胀,晶格常数将有所改变。在这种情况下,在掺杂和未掺杂的两部分晶体界面上,将产生一定数量的位错,以释放因晶格失配所产生的应力。产生的应力大小取决于杂质原子的大小和浓度。因此,在需要进行局部掺杂的情况下,掺人和硅原子半径相近的杂质将有利于减少这种类型的缺陷。如果硅原子的四面体半径为Ⅱ,贝刂杂质原子的四面体半

径可以写成幻(1±ε),这里的ε定义为失配因子,表示由于引人这种杂质在晶格中产生应变的程度,也表示能够在晶格中结合到电活性位置的掺杂剂的量。表⒈3列出了硅中各种掺杂剂的四面体半径和失配因子。

   本章主要介绍了与集成电路制造技术相关的单晶硅的主要特性:硅晶体的结构特点,以及作为芯片衬底的硅的主要晶向、晶面的特点;硅晶体缺陷类型、产生原因,以及对工艺有重要影响的点缺陷的

特点;硅晶体中的杂质类型,对硅电阻率的影响,以及固溶度。