还可以采用硅烷还原法作为酸洗硅的进一步提纯方法。首先将酸洗过的硅和氢气反应生成硅烷SlH4,SiH4常温下是气态,易于纯化,纯化⒏H4后,K4S561633F-XL75加热使其分解,获得电子级高纯度多晶硅。制各出的电子级高纯度多晶硅中仍然含有十亿分之几的杂质。集成电路I艺最为关注的杂质是受主杂质硼和施主杂质磷,以及含量最多的碳。硼和磷的存在,降低了硅电阻率,用来制备本征单晶硅时一定要除去;而碳在硅中虽然不是电活性杂质,但它在制备硅单晶时,在硅中呈非均匀分布,会引起显著的局部应变,使工艺诱生缺陷成核,造成电学性质恶化。电子级纯度硅中,硼杂质含量<1ppb,磷杂质含量(1ppb。杂质含量越少,制各的单晶硅锭的纯度就越高,晶格才能越完整。

  单晶硅生长

  单晶材料的制备主要有3种方式:第一种是由固态多晶或非晶材料经高温高压处理,使其转变为单晶材料,如用石墨制造人工金刚石;第二种是由过饱和溶液来制各单晶材料,溶质过饱和结晶析出为单晶材料,如蒸发海水得到的晶体氯化钠颗粒;第=种是熔融体冷凝结晶形成单晶材料。单晶硅的制备就是采取第二种方式。