假设有重量百分比分别为86%As和14%Sl的熔融体混合物从高温开始冷却。在温度GM1117-AST3降至10⒛℃时,固体sAs从熔体中结晶出来,熔体成为富砷相,直到温度降至944℃,这时液相组成为90%As+10%弘温度继续下降时,固体的sAs与一些剩余的熔体结合形成液体sAs+sAs2相,称为包晶相,s凡被包在s几中;当温度降至786℃或更低,SiAs2和`相都从液相析出而形成固体lg+siA叻相。实际上,重要的不只是杂质在硅中的平衡浓度,杂质在硅晶体中的存在形式也同样重要。杂质浓度较高时对晶体结构、物理性质的影响,以及杂质剂量与哪些因素有关也是非常重要的问题。这些在后面将陆续介绍。

   按照溶质在溶剂中的存在形式,固溶体主要可分为两类:替位式同溶体和间隙式固溶体。形成替位式固溶体的必要条件是溶质原子的大小接近溶剂原子的大小。实验证明,若溶剂原子和溶质原子半径相差大于15%,则形成替位式固溶体的可能性降低。反之,原子半径相差小于15%(这种情况也称“有利几何因素”)且溶质浓度很大,就可能形成替位式固溶体。能否形成固溶体,不仅需要遵守几何因素,而且也要考虑溶剂和溶质原子外部电子壳层结构的相似性和晶体结构的相似性。所有上述条件的有利结合,能导致连续(无限)固溶体的产生,也就是说,一种物质可以无限地溶解于另一种物质之中。能够形成连续固溶体的必须是替位式固溶体,但替位式固溶体不一定都是连续固溶体。锗-硅系统就是连续固溶体的实例,称为同晶体系。若上述条件不能完全得到满足,只能形成有限固溶体,如铝-硅体系就是共晶体系,溶剂和溶质的差异越大,形成的固溶体就越有限。