对晶体靶进行离子注人时,当离子注入的方向与靶晶体的某个晶向平行时,其运动PG985C3R轨迹将不再是无规则的,而是将沿沟道运动并且很少受到原子核的碰撞,因此来自靶原子的阻止作用要小得多,而且沟道中的电子密度很低,受到的电子阻止也很小,这些离子的能量损失率就很低。在其他条件相同的情况下,很难控制注人离子的浓度分布,注入深度大于在无定形靶中的深度并使注人离子的分布产生一个很长的拖尾,注人纵向分布峰值与高斯分布不同,这种现象称为离子注入的沟道效应(Channeˉhllg Effect),如图614所示。

   如果具有一定能量的入射离子,进入晶体里某一主轴的临界角ocˉ内,那么,离子在每一时刻都要接近晶格原子,而受到晶格原子核库仑屏蔽场的排斥作用,使它偏离原来的方向而避免与原子核的剧烈碰撞。图614表明沟道注人的各种情况:在图(a)中,离子A以大于⒘∴的方向入射,它将与晶格原子有严重的碰撞,因而与非晶靶入射的情况相同,除非它碰巧准直于另一个晶轴方向;离子B以稍小于吼的情况人射,它在沟道中将受到较大的核碰撞而损失较多的能量,因而在沟道中“振荡”,离子B将比离子A渗透得更深,但小于离子C的沟道注人深度;离子C以远小于监:的方向人射,它在沟道中很少受到原子核的碰撞,而具有很大的渗透本领。