氮气预冲洗的目的是清除反应器中原有气体,净化反应器内气氛;再用氢气预冲洗,进一步LD1117AS50TR净化反应器内气氛;加热器上电,逐步升温,使基座和反应器壁上吸附的气体解吸;通氯化氢气体排空反应器内解吸的气体;再用氯化氢气体腐蚀基座,去除基座及反应器壁面吸附的硅等杂质。氯化氢是腐蚀性很强的气体,能与硅等反应生成气态物质。通氢气冲洗可去除氯化氢等腐蚀性气体和生成物气体。降温至室温,最后通氮气冲洗,排空反应器中的气体。

   经以上工艺步骤对基座及反应器进行了去硅处理之后,再装人硅基片,进行硅的外延生长。外延生长就是在已准各好的衬底硅片上再进行一系列必要操作之后生长出有一定掺杂浓度的外延层。

典型工艺流程为:N2预冲洗一H2预冲洗→升温至850℃→升温至1170℃9Hα排空一Hα抛光→H2冲洗附面层→外延生长一)H2冲洗→降温9N2冲洗。

   在外延生长工艺流程中,前后几个下序步骤和基座去硅处理作用相同。而直接和外延生长有关的工序步骤包括:HCl抛光工序,其作用是将硅基片表面残存的硅氧化物及晶格不完整的硅腐蚀去掉,露出新鲜和有完整晶格的硅表面,有利于硅外延成核,而且使衬底硅和外延层硅之间键合良好,避兔衬底硅表面缺陷向外延层中延伸。然后,用H2冲洗附面层以去除抛光工序中氯化氢气体及其生成物气体。外延生长工序是外延工艺的核心步骤,通人反应器的外延气体包含携源气体(载气)、硅源、掺杂气体、稀释气体。