在量子阱生长过程中,温度变L6562DTR化的控制十分重要,因为一般GaN垒层生长温度较高,而IIllGal”N阱层生长时为了保证In组分的并入率需要较低的生长温度。由于GaN势垒层和InGaN阱层厚度仅为十几纳米或几纳米,生长时间只有几分钟,因此这就要求在极短时间内实现高低温的变换,温度变化不当,将会造成界面粗糙。(mρ到等人采用双温度生长的方法研究了量子阱垒层的生长温度对InxGa1~N/GaN多量子阱性质的影响,在I‰Ga1~川阱层(⒛0~⒎0℃)生长完以后,中断一段时间,升高温度(840~88o℃)并且将载气由氮气换为氢气进行GaN垒层的生长;之后再中断一段时间,降低生长温度并将载气由氢气换回氮气进行I△GalαN阱层的生长。随着垒层生长温度的增加,多量子阱的结构、光学性质以及表面形貌都得到了改善。然而在中断生长期间I廴Gal”N阱层中的In组分会由于温度的升高而挥发损失,解决这一问题通常的做法是在生长GaN垒层之前先在InlGa1~N上覆盖低温GaN作为保护层,然后再升温生长高温GaN垒层。shc'刨等人则研究了双温度生长法条件下阱层和垒层的厚度对其发光性能的影响,他们结合X射线衍射分析的结果认为随着垒层厚度的增加改善了阱垒界面的质量。