射卜曝光．被曝光（或没有被曝光，取决于它们的极性）后的光刻胶在显影步骤中被洗掉，DM74LS14N从而在晶圆表面广：生光刻胶图案，后续的工艺如刻蚀等在不被光刻胶保护的表面进行  又称为光敏抗蚀剂，针孔( pinhole)：在光刻胶中或在掩模版不透光部分中的小孔洞针栅阵列封装( Pin Grid Array，PGA)：器件封装的一种，器件底座卜伸出许多个针形的管 鹰，器件在封装内‘0这些针形管鹰相连。平面结构( planar structure)：通过扩散和氧化在硅片的表面形成的平面结构的器件平坦化( planarization)：在制造丁艺中，通过热流程、有机层或化学机械抛光技术对晶圈表面的乎整化等离子体( plasma)：微粒经过离子化形成的高能量气体，等离子体增强化学气相淀积( plasma-enhanced CVD)：  一种通过等离子体能量来进行淀积的化学气相淀积系统、等离子体刻蚀( plasma etch)：通过等离子体能量增强的反应气体进行f法刻蚀的r：艺塑封( plastic package)：参见molded package。

   通孔塞[ plug，(via plug)]：在多层金属工艺中，在连接不同层金属时的通孔中淀积金属（通常是难熔的金属）形成接线柱，P沟道金属氧化物半导体( PMOS)：金属氧化物半导体场效应管的一种，导电沟道中的多数载流子为空穴。

   PNP型晶体管(PNP)：在两个P型区域中夹着一个N型区域的半导体结构，常见的双极剖器件的一种。