除上述提及的介质外，有几种为特HIN232ECB殊应用的其他类型的淀积。它们分成广泛的高k和低k介质、第2章描述f电容器的基础。回顾一下，一个材料的k值称为介电常数( dielectric，nstant)  它与电容器的电容量相关。高后材料制造具有更高存储电荷容量的电器。它们也已经被结合进MOS器件作为栅介质（叠层栅）。ALD和MOCVD淀积系统适合于这种应用，因为它们具有高水平的厚度控制321。高k介质的用途将在第16章讨论。

   低k材料用在金属化系统，作为晶圆表面和主要金属系统间的阻挡层。在这种情况下，电容器的功能应该是低k介质以便于信号传导。这些低k材料将在第13章讨论。

   传统的铝和铝合金的金属导体采用蒸发或溅射的方法进行淀积。硅栅MOS晶体管出现，使增加掺杂的多晶硅作为一种器件的导体。，再加上，多层金属结构和新导电材料的出现，将CVD和PVD技术延伸到导电金属领域。在T一章中，将介绍这些金属淀积的技术和应用。

   学习完本章后，你应该能够：

   1．指出CVD反应室的组成。

   2．描述化学气相淀积的原理。

   3．列出由CVD技术淀积的导体、半导体和绝缘材料。

   4．了解常压CVD、LPCVD、热壁系统和冷壁系统的区别。

   5．解释外延层和多晶硅层之间的区别。