外延层( EPI)电阻器：一个电NCP5603MNR2G阻器可以通过隔离一部分外延层区域来形成（见图16.4）。在表层氧化和掩膜生成接触孔后，剩下的是具有电阻器功能的三维区域。

   挤压( Pinch)电阻器：欧姆定律表明电阻器的横截面积是决定其阻值的一个因素(见图16.5)。一种缩小横截面积（并增加电阻值）的方法是先在电阻器区域进行掺杂，然后再进行一次具有相反传导特性的掺杂。这种情形通常发生在双极型工艺中，先通过发射淀积形成一个N型区域，此区域横界面为钳形( pinched)，随后在此区域再进行一次P型掺杂来生成最终的电阻器区域。

  薄膜电阻器：掺杂型电阻器并非总能满足一些电路对电阻控制的要求，同时辐射环境对其性能影响很大。空间中存在的各种辐射会在电阻器区域产生我们不想要的空穴和电子，使结发生漏电流。由金属薄膜淀积生成的电阻器不存在这种因辐射产生的问题。

   图16.6所示的电阻器或者按照薄膜淀积、掩膜的工艺顺序生成，或者由剥离( lift-off)技术生成。当电阻器在芯片金表面生成后，通过与其两端接触的导电金属线连接到电路中。镍合金、钛、钨等是构成电阻器的典型金属。