塑料制成的晶圆承载器，用于湿DG212BDJ法清洗过程，推舟器( boat puller)：一种将载有晶圆的舟以固定速度推进或拉出炉子的机械装置BOE:参见缓冲氧化刻蚀。压焊点( bonding pad)：芯片上的电极（通常在周边），用来与封装体的电系统连接。硼(B)：P型掺杂物在标准双极型集成电路工艺中用来做隔离区和基区扩散？

   三氯化硼( BCI3)：气体，经常用未向硅中掺硼。

   起泡器( bubbler)：一种装置，使其内部输运气体的“冒泡”通过某种热液体，将部分液体携带走  例如，某种输运气体（氮气或氧气）冒泡通过98℃~ 99℃的去离子水，到达氧化管，缓冲氧化物刻蚀( buffered oxide etch)：-种氟化氢(HF)和氟化氨(NH。F)的混合物，用来使氧化物的刻蚀以缓慢、受控的速度进行。

凸点／焊球连接技术( bump/ball connection technology)：-种在压焊点卜形成的金属￡b点或焊球结构，使芯片到封装体的连接通过芯片翻转形成。

   埋层( buried layer)：在生长外延层之前在P型衬底上的N+扩散。掩埋层为流向器件的电流提供r一条低电阻的通路，  一般掩埋层掺杂物为锑和砷。

   封罐( can)：一种金属封装，用来将芯片通过3—5个管腿连接到印制电路板h电容器( capacitor)：一一种分立器件，将电荷储存在有介质分隔的两个导体卜电容( capacitance)：电荷储存的能力。

电容~电压图（C-V图）：一种可以提供关于在氧化层中可动离子杂质量的信息的绘图i承载气体( carrier gas)：惰性气体，可以将一种所需物质的原子或分子输运到反庇室中、载流子激发结深探测（carrier illumination junction detection）：一种通过载流子电荷在由激光束入射的结边的积累，确定结深的非破坏性系统。厘斯托克( centistoke)：黏度测量单位，动力黏度单位厘泊(centipoise)除以密度。

   沟道( channel)：半导体中的一个狭窄区域来支持导电。沟道可以在表面或体内形成，对MOSFF  IT和SIGFF.T的性能都很关键。如果沟道不是电路设计的一部分，其存在会体现町能的污染问题或是隔离不完全问题。

   隧道效应( channeling)：-种离子束穿透并进入晶圆晶体平面的现象。通过“偏离晶向”切割品圆可以防止隧道效应的产生，其效果是使晶面相对离子束的方向倾电荷载流子( charge carrier)：固体器件的晶体中电荷的载体，如电子或窄穴，化学刻蚀( chemical etching)：通过液体反应物有选择地去除某种材料。刻蚀的精确度由刎蚀液的温度、浸入时间及酸性腐蚀液的成分来控制。

   化学机械抛光( CMP)：一种使晶体平坦和抛光的工艺。将化学去除和机械抛光结合到一起，用于晶体生长后的晶圆磨平抛光和晶圆制造工艺过程中的平垣化。