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特征图形尺寸和缺陷尺寸

发布时间:2015/10/28 20:32:29 访问次数:3209

   更小的特征工艺尺寸从丽个主要方面使维持一个可以接受的晶圆电测良品率变得更困难。K2210604第一,较小图像的光刻比较困难(见6.4.4节和第8章)。第二,更小的图像对更小的缺陷承受力很差,对整体的缺陷密度的承受力也变得很差.、小特征工艺尺寸对允许缺陷尺寸的10:1定律已经被讨论过厂。一项评估指出,如缺陷密度为每平方厘米1个缺陷,特征工艺尺寸为0. 35 ht,m的电路的晶圆电测良晶率会比相同条件下的0.5 ym电路低lOO。

   工艺制程周期

   晶圆在生产中实际处理的时间可以用天来计算。但是由于在各工艺制程站的排队等候和r艺问题引起的临时性减慢,晶圆通常会在生产区域停留几个星期。晶圆等待时间越长,受到污染而导致电测良品率降低的可能性就越大。向即时生产方式的转变(见第15章)是·种提高良品率及降低卣生产线存量增加带来的相关成本的尝试。

   晶圆电测良品率公式

   理解及较为准确地预测晶圆电测良品率的能力是对一个赢利日.可靠的芯片供应商的基本要求,,多年来,许多把工艺制程、缺陷密度和芯片尺寸参数与晶圆电测良品率联系起来的模型被开发出来厂5。图6. 12给出了5种良品率模型的公式..每一种将不同的参数和晶吲电测良品率联系起来。随着芯片尺寸的增大,工艺制程步骤的增加,以及特征工艺尺寸的减小,芯片对较小缺陷的敏感性增加了,并且更多的背景缺陷变成J-致命缺陷。



   更小的特征工艺尺寸从丽个主要方面使维持一个可以接受的晶圆电测良品率变得更困难。K2210604第一,较小图像的光刻比较困难(见6.4.4节和第8章)。第二,更小的图像对更小的缺陷承受力很差,对整体的缺陷密度的承受力也变得很差.、小特征工艺尺寸对允许缺陷尺寸的10:1定律已经被讨论过厂。一项评估指出,如缺陷密度为每平方厘米1个缺陷,特征工艺尺寸为0. 35 ht,m的电路的晶圆电测良晶率会比相同条件下的0.5 ym电路低lOO。

   工艺制程周期

   晶圆在生产中实际处理的时间可以用天来计算。但是由于在各工艺制程站的排队等候和r艺问题引起的临时性减慢,晶圆通常会在生产区域停留几个星期。晶圆等待时间越长,受到污染而导致电测良品率降低的可能性就越大。向即时生产方式的转变(见第15章)是·种提高良品率及降低卣生产线存量增加带来的相关成本的尝试。

   晶圆电测良品率公式

   理解及较为准确地预测晶圆电测良品率的能力是对一个赢利日.可靠的芯片供应商的基本要求,,多年来,许多把工艺制程、缺陷密度和芯片尺寸参数与晶圆电测良品率联系起来的模型被开发出来厂5。图6. 12给出了5种良品率模型的公式..每一种将不同的参数和晶吲电测良品率联系起来。随着芯片尺寸的增大,工艺制程步骤的增加,以及特征工艺尺寸的减小,芯片对较小缺陷的敏感性增加了,并且更多的背景缺陷变成J-致命缺陷。



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