扩散加强硅烷他光刻胶( DESIRE)工艺是一种新颖的表面图形化工艺方法。23| i（见图10. 29）。AD846AR与其他的多层光刻胶工艺类似，DESIRE也是平整晶圆表面，在表层形成图形。DESIRF工艺使用标准的紫外线曝光表面层。在这一工艺中，曝光只局限于顶层。然后，将晶圆放入反应腔（见8.8.2节）2‘中暴露于HMDS，发生硅烷化反应(silylation process)。通过这一步，硅混入曝光区域。富硅区域变成了硬掩膜，可以用各向异性RIE刻蚀使其下面的材料干法显影和去除（见第9章）。在刻蚀工艺中，硅烷化区域变成二氧化硅( Si0，)，形成了更坚固的刻蚀阻挡层。这种只在最t：-层定义图形的技术称为卜^表面成像（Top Surface Image，TSI）。