LT3791
应用信息
PC板布局清单
基本的PC板布局需要一个专用的接地
面层。此外，对于高电流，多层电路板
为功率元件散热。
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保护地线接地层不应该有任何的痕迹
它应该是尽可能地接近，以与层
功率MOSFET。
地方
IN
，开关管M1 ，在一个紧凑的开关M2和D1
区。地方
OUT
，开关M3的，在一个开关M4和D2的
紧凑的面积。
使用即时通孔连接组件（ includ-
荷兰国际集团的LT3791的SGND和PGND引脚）为平地
平面。用几个大孔为每个功率元件。
使用的飞机为V
IN
和V
OUT
保持良好的电压
过滤和保持较低的功率损耗。
洪水铜所有层的所有未使用的区域。洪水
用铜会降低功率的温度上升
组件。铜区连接到任何DC网
(V
IN
或保护地） 。
分离信号和电源的理由。所有小信号
元件应返回到SGND销在一个点上，
然后将其连接到PGND引脚靠近源
开关M2和M3的切换。
地方开关M2和M3切换为接近控制 -
LER越好，保持PGND ， BG和SW痕迹
短暂。
保持高dv / dt SW1 ， SW2 ， BST1 ， BST2 ， TG1和
TG2节点远离敏感的小信号节点。
通过开关M1形成的路径，开关M2 ， D1和
C
IN
电容应具有短引线和PC跟踪
长度。通过开关M3形成的路径，切换M4 ， D2
和C-
OUT
电容也应该有短引线
和PC走线长度。
输出电容器（ - ）端子应连接
尽可能接近到（ - ）输入端子
电容。
连接顶部驱动的自举电容C1 ，密切
到BST1和SW1引脚。连接顶部驱动
自举电容， C2 ，紧紧的BST2和SW2
销。
将输入电容，C
IN
和输出电容，
C
OUT
紧密的功率MOSFET。这些电容
器进行MOSFET的交流电流的升压和降压
操作。
路线尚尚和SNSP以最小的一起导致
PC走线间距。避免感应线穿过嘈杂
的领域，如交换节点。确保精确的电流
传感与开尔文连接在检测电阻器。
连接VC引脚补偿网络靠近
集成电路， VC和信号接地引脚之间。该电容
器帮助过滤的PCB噪声和输出的影响
电压的纹波电压补偿回路。
连接INTV
CC
旁路电容C
VCC
，接近
IC的INTV之间
CC
和电源接地引脚。这
电容携带MOSFET驱动器“的电流峰值。一
另外0.1μF的陶瓷电容立即放置
旁边的INTV
CC
和GND引脚可以帮助改善
噪声性能大增。
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