LT3791
应用信息
为防止最高结温为
突破，将输入电源电流，必须检查
在最大V在连续模式中操作
IN
.
顶栅（ TG ） MOSFET驱动器电源（ C1 ， D1 ， C2 ， D2 ）
外部自举电容器C1和C2连接
到BST1和BST2引脚提供栅极驱动电压
对于上部MOSFET开关M1和M4 。当
高端MOSFET开关M1导通时，开关节点SW1
上升到V
IN
和BST1针上升到近似V
IN
+
INTV
CC
。当底部MOSFET开关M2导通时，
开关节点SW 1滴低和自举电容
C1通过D1从INTV充电
CC
。当底
MOSFET开关M3导通时，开关节点SW 2滴
低和自举电容器C2 ，是通过D2充电
从INTV
CC
。自举电容器C1和C2需要
存储大约100倍的顶端所需的栅极电荷
MOSFET开关管M1和M4 。在大多数应用中一个0.1μF
为0.47μF ， X5R或X7R陶瓷电容就足够了。
效率方面的考虑
的开关稳压器的功率效率等于
输出功率由输入功率乘以100％分。
重要的是要分析单个损耗，以确定是非常有用的
是什么限制了英法fi效率以及改变会
产生了最大的改善。尽管所有的耗散
在电路元件产生的损失，四个主要来源
占据了大部分的LT3791电路的损失：
1.直流我
2
损失。这些源自的电阻
的MOSFET ，检测电阻器，电感器和PC板
的痕迹，并导致英法fi效率下降，在高输出
电流。
2.过渡损失。这一损失产生于短暂量
时间开关M1或开关M3花费在饱和
在交换节点的过渡区域。这取决于
输入电压，负载电流，驱动力和
MOSFET的电容，以及其它因素。损失
是显著的输入电压高于20V ，可以是
从估算：
过渡损耗≈ 2.7 V
IN2
I
OUT
C
RSS
f
其中C
RSS
是反向传输电容。
3. INTV
CC
电流。这是MOSFET驱动器的总和
和控制电流。
4. C
IN
和C
OUT
损失。输入电容有困难
过滤大RMS输入电流的稳压就业
荡器在降压运行。输出电容器具有
过滤大RMS输出电流的艰巨任务
在升压操作。使用C
IN
和C
OUT
需
具有低ESR ，以减少交流我
2
损失和后缀科幻cient
电容，以防止RMS电流的产生
保险丝或额外的电池上游的损失。
5.其他损失。肖特基二极管D3和D4是受访
sible为在死区时间和光传导损耗
负载导通周期。发生电感磁芯损耗
主要是在轻负载。开关M3导致相反的
恢复电流损耗在升压操作。
当进行调整，以提高外汇基金fi效率，输入
电流变化EF网络效率的最佳指标。如果您
做出改变和输入电流减小，则
效率有所提高。如果在输入无变化
目前，再有就是在英法fi效率没有变化。
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