LT3791
应用信息
功率MOSFET的选择和效率
注意事项
该LT3791需要四个外部N沟道功率MOSFET导
场效应管，二为顶部开关（开关M1和M4 ，如图
图1）和两个用于底部开关（开关M2和
如图1中所示的M3 ） 。为电源的重要参数
MOSFET是击穿电压，V
BR （ DSS ）
，门槛
电压，V
GS （ TH）
，导通电阻，R
DS （ ON）
，反向传输
电容C
RSS
和最大电流，我
DS （ MAX）
.
的驱动电压由5V INTV设置
CC
供应量。 CON-
sequently ，逻辑电平阈值的MOSFET ，必须使用
在LT3791应用。如果输入电压预期
下降至低于5V ，然后再转逻辑阈值的MOSFET
应予以考虑。
为了选择功率MOSFET ，功率显示
由设备sipated必须是已知的。对于开关M1的
最大功耗发生在升压操作，
当它仍保持在所有的时间。其最大功率显示
sipation在最大输出电流由下式给出：
I V
P
M1(BOOST)
=
LED OUT
ρ
T
R
DS （ ON）
V
IN
哪里
ρ
T
是归一化因子（统一在25℃下）
占显著变化的导通电阻
同的温度，通常为0.4 ％/℃ ，如图10 。
为125 ℃的最高结温，用
价值
ρ
T
= 1.5是合理的。
2
开关M2在降压操作操作作为同步
整流器器。其功率在最大输出电流耗散
由下式给出：
P
M2(BUCK)
=
V
IN
– V
OUT
I
LED2
ρ
T
R
DS （ ON）
V
IN
开关M3在升压操作作为操作控制
开关。其功率在最大电流耗散为
由下式给出：
P
M3(BOOST)
=
(
V
OUT
– V
IN
)
V
OUT
I
V
IN2
LED
2
ρ
T
R
DS （ ON）
+
K = V
OUT 3
I
LED
C
f
V
罗斯
其中C
RSS
通常由MOSFET指定制造
商。常数k ，其占所造成的损失
由反向恢复电流，反比于
栅极驱动电流，并且具有1.7的经验值。
对于开关M4 ，最大功耗情况
在升压操作中，当它的占空比高于
的50％。在最大输出其最大功率耗散
电流由下式给出：
V
P
M4(BOOST)
=
IN
V
OUT
I V
LED OUT
ρ
T
R
DS （ ON）
V
IN
2
对于相同的输出电压和电流，开关M1的有
最高功耗和开关M2具有低
EST功耗除非发生短路时的输出。
3791f
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