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1.8V串行四I / O（ SQI ）快闪记忆体
SST26WF032
超前信息
块擦除
块擦除指令将选定的块中的所有位为“1” 。块的大小可以是8 K字节， 32
K字节或64 K字节根据地址，参见图3 ，存储器映射，了解详细信息。 A座擦除
应用到受保护的存储器区域的指令将被忽略。在此之前的任何写操作，执行
WREN指令。保持CE＃有效低电平任何命令序列的持续时间。
要执行块擦除操作，主机驱动器CE＃为低电平，然后发送块擦除命令
周期（ D8H ） ，三个地址周期，然后驱动CE ＃高。每个周期为两个半字节，或时钟，长，
最显著四位第一。地址位A
MS
-A
13
确定块地址;其余地址
位可以是V
IL
或V
IH
。对于32千字节块，A
14
:A
13
可以是V
IL
或V
IH
; 64千字节块，A
15
:A
13
可以
为V
IL
或V
IH
。轮询状态的BUSY位寄存器或等待牛逼
BE
为完成内部的，自我的
定时，块擦除操作参见图16的块擦除序列。
CE＃
模式3
0
1
2
4
6
SCK
SIO （3 ：0）
模式0
C1 C0 A5 A4 A3 A2 A1 A0
MSN LSN
1409 F08.0
注意：
MSN =最高有效半字节，
LSN =最低有效半字节
C [ 1：0] = D8H
图16 ：块擦除
顺序
芯片擦除
芯片擦除指令清除设备中的'1 '的芯片擦除指令的所有位，如果被忽略
任何的存储器区域的保护。在此之前的任何写操作，执行WREN指令。
要执行全片擦除操作，主机驱动CE ＃低，发片擦除命令周期
（ C7H ） ，然后驱动CE ＃高。一个周期为两个半字节，或时钟，长，最显著四位第一。轮询
在状态BUSY位寄存器或等待牛逼
CE
为完成内部自定时，芯片擦除的
操作。见图17芯片擦除序列。
CE＃
模式3
0
1
SCK
SIO （3 ：0）
模式0
C1 C0
1409 F09.0
注意：
C [ 1：0] = C7H
图17 ：芯片擦除
顺序
2010硅存储技术公司
S71409-01-000
01/10
19
