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1.8V串行四I / O（ SQI ）快闪记忆体
SST26WF032
超前信息
阅读（ 25兆赫）
在读指令， 03H ，只与时钟频率高达25 MHz的支持SPI总线协议。
该命令没有SQI总线协议的支持。该设备输出从开始的数据
指定的地址位置，然后不断地流过所有的地址数据输出至之三
通过在CE＃低到高的转变及时停止。内部地址指针将自动递增
直到最高的存储器地址被达到。一旦最高的存储器地址为止，该
地址指针将自动返回到地址空间的开始位置（环绕） 。
通过执行8位命令， 03H ，其次是地址位A23开始读指令： A0 。
CE＃必须保持有效低电平的读出周期的持续时间。 SiO2和SIO3必须驱动V
IH
为
读出周期的持续时间。参见图8为读序列。
CE＃
模式3
0 1 2 3 4 5 6 7 8
15 16
23 24
31 32
39 40
47 48
55 56
63 64
70
SCK
模式0
SI
最高位
SO
03
添加。
最高位
高阻抗
添加。
添加。
N
D
OUT
最高位
N+1
D
OUT
N+2
D
OUT
N+3
D
OUT
N+4
D
OUT
1409 F29.0
注意：
SiO2和SIO3必须驱动V
IH
图8：
读序列（ SPI ）
启用四I / O（ EQIO ）
启用四I / O（ EQIO ）指令， 38H ，使得对SQI总线操作的闪存设备。上
该指令完成，所有的指令后会4位复用输入/输出，直到
动力循环或“复位四I / O指令”执行。见图9 。
CE＃
模式3
0
1
2
3
4
5
6
7
SCK
SIO0
SIO [3： 1]
模式0
38
1409 F43.0
图9：
启用四I / O顺序
2010硅存储技术公司
S71409-01-000
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