1.8V串行四I / O（ SQI ）快闪记忆体
SST26WF032
超前信息
该SST26WF032串行四I / O （ SQI ）闪存器件采用4位mul-
tiplexed I / O串行接口来提升性能，同时保持的COM
标准串行闪存器件契约的形式因素。工作频率
达到80 MHz时， SST26WF032使最小的延迟执行， IN-
地方（ XIP ）功能，而不需要遮蔽上的SRAM的代码。该
设备的高性能和小尺寸使其成为理想的选择
移动手持设备，蓝牙耳机，光盘驱动器， GPS应用
和其他便携式电子产品。更多的利益与实现
SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术，这
显著提高了性能和可靠性，并降低了功率消耗
化的高带宽，紧凑的设计。
产品特点：
单电压读写操作
– 1.65-1.95V
灵活的擦除能力
- 统一4K字节扇区
- 4个8 K字节的顶部和底部的参数覆盖块
- 两个32 K字节的顶部和底部覆盖块
- 统一64 K字节覆盖块
- SST26WF032 - 62块
串行接口架构
- 半字节多路复用I / O与SPI般串行
命令结构
- 模式0和模式3
- 单位， SPI向后兼容
- 阅读，高速读取，以及JEDEC ID读
写暂停
- 暂停编程或擦除操作访问另一
块/扇区
高速时钟频率
= 80 MHz的
- 320 Mbit / s的持续数据传输率
软件复位（ RST ）模式
软件写保护
- 个别块锁定
- 64千字节块， 2个32千字节块，而8个8
K字节的参数块
- 写锁，读锁，并且锁定选项
连拍模式
- 连续线性爆
- 与环绕8/16/32/64字节的线性爆
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次
- 大于100年数据保存时间
安全ID
- 一次性可编程（ OTP ） 256位，安全ID
- 64位唯一的，工厂预编程的标识符
- 192位用户可编程
低功耗：
- 读操作工作电流：12 mA（典型值@ 80兆赫）
- 待机电流： 8 μA （典型值）
=温度范围
- 工业级： -40 ° C至+ 85°C
快速擦除和字节编程：
- 芯片擦除时间： 35毫秒（典型值）
- 以部门/块擦除时间： 18毫秒（典型值）
封装
- 8触点WSON （ 6× 5毫米）
- 8引脚SOIC （ 200万）
页面-计划
- 每页256字节
- 在1毫秒的快速页面编程时间（典型值）
所有器件均符合RoHS标准
检测写操作结束的
- 软件轮询状态寄存器中的BUSY位
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产品说明
串行四I / O （ SQI ）系列闪存设备配有4位，复用I / O接口
脸上，允许低功耗，高性能的运行在低引脚数封装。系统
使用SQI闪存器件的设计占用更少的电路板空间，并最终降低系统成本。
26系列的所有成员， SQI家庭与SST专有的高性能制造
CMOS的SuperFlash技术。分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现bet-
与其他方法相比器的可靠性和可制造性。
该SST26WF032显著提高性能和可靠性，同时降低功率消耗
化。该器件写入（编程或擦除）与1.65-1.95V单电源供电。的总能量
消耗是所施加的电压，电流和应用时间的函数。因为对于任何给定的电压
年龄范围， SuperFlash技术的编程电流更低，且具有更短的擦除时间，该
任何擦除或编程操作过程中消耗的总能量低于其他闪存
技术。
SST26WF032在两个8触点WSON （6毫米× 5毫米）的提供，以及8引脚SOIC （ 200 mil）的封装
老少皆宜。参见图2引脚分配。
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引脚说明
CE＃
SO/SIO1
SIO2
VSS
1
2
8
7
VDD
SIO3
SCK
SI/SIO0
CE＃
SO/SIO1
SIO2
VSS
1
8
VDD
SIO3
SCK
SI/SIO0
2
7
顶视图
3
4
6
5
3
顶视图
6
4
5
1409 08 -SOIC S2A P1.0
1409 08 - WSON QA P1.0
8引脚SOIC
8触点WSON
图2：
引脚说明8引脚SOIC和8触点WSON
表1：
引脚说明
符号
SCK
引脚名称
串行时钟
功能
提供串行接口的定时。
命令，地址或输入数据被锁存的上升沿
时钟输入，而输出数据被移出在时钟的下降沿
输入。
到传送命令，地址和数据连续地进入设备或数据进行
该装置。输入被锁定在串行时钟的上升沿。数据
移出在串行时钟的下降沿。该EQIO命令
说明这些引脚配置为四I / O模式。
以串行方式传送命令，地址和数据到设备中。输入是
锁定在串行时钟的上升沿。 SI是后的默认状态
上电复位。
SIO [3 ：0]的
串行数据
输入/输出
SI
串行数据输入
对于SPI模式
SO
CE＃
串行数据输出以串行方式传输数据移出器件。数据移出在下降
对于SPI模式
串行时钟的边缘。 SO是上电复位后的默认状态。
芯片使能
该装置是由高到CE ＃低电平的转换功能。 CE ＃必须保持
低为任何命令序列的持续时间;或写入操作数的情况下，
ations ，该命令/数据输入序列。
提供电源电压： 1.65-1.95V
T1.0 1409
V
DD
V
SS
电源
地
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存储器组织
该SST26WF032 SQI存储器阵列是由穿制服， 4 K字节可擦除扇区擦除与
覆盖块： 8个8 K字节的参数块， 2个32千字节块，而62 64千字节块。
参见图3 。
顶级内存块的
8字节
8字节
8字节
8字节
32千字节
64字节
2个扇区的8千字节块
8个扇区为32千字节块
16个扇区为64千字节块
4字节
4字节
4字节
4字节
64字节
32千字节
8字节
8字节
8字节
8字节
内存块的底部
1409 F41.0
图3：
存储器映射
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...
64字节
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